【产通社，9月25日讯】罗姆株式会社（ROHM Semiconductor；东京证交所股票代码：6963.T）官网消息，其开发出SCT3xxx xR系列6款沟槽栅结构SiC MOSFET产品（650V／1200V耐压），非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。


产品特点


SCT3xxx xR系列采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装（TO-247N）相比，开关损耗可降低约35%，非常有助于进一步降低各种设备的功耗。

在传统的3引脚封装（TO-247N）中，源极引脚的电感分量会引起栅极电压下降，并导致开关速度延迟。SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装（TO-247-4L），可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚，因此，可减少电感分量的影响。这样，能够充分地发挥出SiC MOSFET的高速开关性能，尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35%的损耗。
  
另外，罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板P02SCT3040KR-EVK-001，该评估板中配置有非常适用于SiC元器件的驱动的ROHM栅极驱动器IC（BM6101FV-C）、各种电源IC及分立产品，可为客户提供轻松进行元器件评估的解决方案。


供货与报价


本系列产品已于2019年8月起以月产50万个的规模逐步投入量产（样品价格2,100日元起，不含税）。生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈）。此外，本系列产品和评估板已于2019年9月起开始网售，可从AMEYA360、icHub购买。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.rohm.com.cn/power-device-support。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）