【产通社，8月2日讯】意法半导体（STMicroelectronics；NYSE股票代码：STM）官网消息，其VIPer26K高压功率转换器集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET，使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。 


产品特点


VIPer26K MOSFET具有极高的额定电压，无需传统垂直堆叠FET和相关无源元件，即可实现类似的电压处理能力，可采用尺寸更小的外部缓冲器元件。转换器内置漏极限流保护功能，MOSFET包含一个用于过温保护的senseFET引脚。

单片集成高压启动电路、内部误差放大器和电流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常见开关式电源拓扑，包括原边或副边稳压隔离反激式转换器、电阻反馈非隔离反激式转换器、降压转换器和降压 - 升压转换器。

市场上最高的MOSFET击穿电压，结合片上集成的一整套功能，需要极少的外部电路，这些特性使设计人员能够节省物料清单成本和电路板空间，同时提高电源的可靠性，例如，单相和三相智能电表、三相工业系统、空调和LED照明的电源。

新产品还有很多其它优点，例如，内部固定开关频率60kHz，抖动±4kHz，配合MOSFET开通和关断期间栅极电流控制功能，可以最大限度地降低开关噪声辐射。高转换效率和低于30mW的空载功耗，有助于应用达到高能效等级和严格的生态设计要求。


供货与报价


VIPer26K现已投产，采用SO-16N封装。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.st.com/viper26k-pr。（Lisa WU, 365PR Newswire）     （完）