【产通社，7月20日讯】杭州士兰微电子股份有限公司（Silan Microelectronics；股票代码：600460）官网消息，其内置大功率MOSFET的SSR反激电源管理芯片SDH8666Q系列采用自有专利EHSOP5贴片封装，内置高压大功率MOSFET，可广泛适用于36W适配器或48W开放环境，包括通用适配器、快充、显示器和平板电视等。


产品特点


SDH8666Q系列采用自有专利EHSOP5贴片封装，更适于自动化生产；封装厚度仅为1.6mm，是TO252封装的2/3，对外壳温升影响更小；Rthja为60℃/W，与TO252相当，而Rthjc仅为1.05℃/W，是TO252封装的1/2，更有利于散热。

此外，该系列产品内置了专利高压EDMOS，也采用了专利高压启动控制电路，省略传统电路的启动电阻，待机功耗低至40mW，具有快速启动，轻载高效等优点。在启动过程中采用高压耗尽型MOSFET进行高压充电，芯片启动后高压启动控制器控制该MOSFET关断，相比其他高压启动方式可靠性更高，更易通过雷击浪涌测试。

全系列产品满足CoC V5 Tier 2能效，采用了QR+PWM+PFM+Burst Mode控制模式。其中，产品优化了QR模式抖频控制，在系统工作于CCM或QR模式时采用不同的抖频策略，优化抖频控制，降低系统EMI噪声。QR模式下，采用优化抖频后的IC比无抖频IC的传导噪声低5dB左右。

该系列产品具有VCC HOLD功能，防止轻载或动态切换时芯片欠压重启，产品还具有完善的保护功能，包括VCC OVP、OCP、OTP、Brown In/Brown Out，输出OVP，原边电流采样电阻短路保护，输出短路保护，副边整流管短路保护等。


供货与报价


目前该系列电路已经大批量销售。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.silan.com.cn。（robin, 张底剪报）    （完）