【产通社，7月17日讯】意法半导体（STMicroelectronics；NYSE股票代码：STM）官网消息，其STDRIVE601三相栅极驱动器用于驱动600V N沟道功率MOSFET和IGBT管，稳健性居目前业内最先进水平，可耐受低至-100V的负尖峰电压，逻辑输入响应速度在85ns以内，处于同级产品一流水平。 


产品特点


STDRIVE601内置智能关断电路，可提高保护功能的启动速度，在检测到过载或短路后，立即关闭栅极驱动器输出。用外部电容和电阻设定断态持续时间，必要时，设计人员可以用较大的C-R值设置所需时间，而不会影响关断反应时间。STDRIVE601具有低电平有效故障指示器引脚。

STDRIVE601可以替代三个半桥驱动器，简化PCB电路板布局设计，优化三相电机驱动器的性能，可以驱动家电、工业缝纫机、工业驱动器和风扇等设备。所有输出均可灌入350mA电流，源出200mA电流，栅极驱动电压范围为9-20V，可驱动N沟道功率MOSFET或IGBT管。低边和高边之间的延迟匹配功能消除了周期失真现象，并允许高频开关操作，而互锁和死区插入特性可防止交叉导通。

STDRIVE601采用意法半导体的BCD6S离线功率开关制造工艺，驱动电源是高达21V的逻辑电源电压和高达600V的高边自举电压。驱动器集成自举二极管，节省物料清单成本，并且低边和高边驱动电路都有欠压锁定（UVLO）功能，可防止电源开关在低能效或危险条件下运行。


供货与报价


EVALSTDRIVE601评估板现已上市，可以帮助用户探索STDRIVE601驱动器的功能，快速创建并运行首个原型系统。STDRIVE601芯片现已投入生产，采用SO28封装。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.st.com/stdrive601-pr。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）