【产通社，6月8日讯】台湾集成电路制造股份有限公司（TSMC；TWSE股票代码：2330；NYSE股票代码：TSM）官网消息，其将于6月9-14日在日本京都举行的2019年VLSI技术及电路研讨会（2019 Symposia on VLSI Technology & Circuits）发表新兴内存、二维材料、以及系统整合技术之研究论文。

VLSI技术及电路研讨会邀请台积公司发表专篇论文阐述嵌入式磁阻式随机存取内存（eMRAM）的研究现况，台积公司另有三篇论文也获得大会肯定选为亮点论文，共同探讨今年研讨会的主题──将半导体推向极限，实现无缝联结新世界。上述论文展现了台积公司自先进逻辑晶体管使用的创新材料、特殊制程技术组合中的新兴高效能嵌入式内存，到可协助客户于效能与成本之间取得最佳优势的系统整合解决方案等全方位的技术领先地位。

台积公司技术研究副总经理黄汉森博士表示：“VLSI研讨会不仅特别亮点展示我们的论文，还邀请我们阐述研究的成果，对此台积公司感到无比的荣幸。这些论文来自我们杰出且经验丰富的研究人员，以及年轻优秀工程师的心血结晶，台积公司向来秉持技术领先的承诺，我们有信心未来将持续提供优异的技术，协助客户释放创新。”


受邀论文


台积公司受邀发表以“嵌入式磁阻式随机存取内存技术近期进展与未来方向”为题之论文，阐述一项有望取代即将面临微缩极限的嵌入式闪存的技术──非挥发性eMRAM。本论文陈述了具备焊锡回焊（Solder Reflow）能力的22nm eMRAM的研究成果，此项技术能够在封装过程中承受焊锡高温，而且制造过程中预存的内存数据并不会在高温封装过程中流失。相较于28nm嵌入式闪存，具备焊锡回焊能力的22nm eMRAM大幅减少所需增加的光罩层，其写入数据速度与可靠度亦高度提升，相当适合应用于重视保留预存数据的产品，例如穿戴式及物联网装置。同时，本论文亦提出，若不需具备焊锡回焊能力，有机会可更大幅降低eMRAM写入数据功耗及读取时间，而且仍能维持其非挥发性，呈现非挥发性的随机存取内存的特性，诸多应用例如低耗电机器学习推论处理器皆能够受惠于上述特性。


亮点论文


3nm及更先进制程晶体管微缩面临的主要挑战之一，在于晶体管电子流通的信道不但要更短，同时也必须更薄，以确保良好的开关闸行为，因此衍生了二维通道材料的研究。台积公司发表的“直接使用信道区域选择性CVD成长法在SiOx/Si基板上制造的40nm信道长度上闸极WS2 pFET的首次展示”论文展示了使用一种有潜力的二维材料二硫化钨（WS2）进行大量生产的可能性，利用产业所熟悉的的化学气相沉积（CVD）半导体制程直接在硅晶基板上制造WS2短信道晶体管。原本生产WS2薄膜的传统制程要求将材料先沉积于蓝宝石基板，移除之后再放置于硅晶圆之上，相较之下，信道区域选择性CVD提供了更加简易的量产方法。本论文有助于量产未来世代晶体管的研究方向。

台积公司其他两篇亮点论文则是以整体系统层次出发，藉由小芯片（Chiplet）的组合建构出系统而非个别晶体管的方式来解决微缩的挑战。不同于系统单芯片（System-on-Chip, SoC）将系统的每一个组件放在单一裸晶上，小芯片是将不同的功能分散到可以不同的制程技术生产的个别微小裸晶，提供了灵活性与节省成本的优势，且面积小的裸晶与较大裸晶相比，本就具有更好良率。然而，为了达到与系统单芯片相当的效能，小芯片必须能够透过密集、高速、高带宽的连结来进行彼此沟通。

台积公司以“适用于高效能运算的7nm 4GHz Arm核心CoWoS小芯片设计”为题的论文详细介绍了CoWoS先进封装解决方案中的7nm双小芯片系统。每个小芯片内建运作频率4GHz的Arm核心以支持高效能运算应用，芯片内建跨核心网状互连运作频率可达4GHz，小芯片之间的链接则是透过台积公司独特的Low-voltage-In-Package-INterCONnect（LIPINCON）技术，数据传输速率达8Gb/s/pin，并且拥有优异的功耗效益，相较于最近其他论文所展示的类似连结解决方案的效能范围则介于2Gb/s/pin至5.3Gb/s/pin。

最后，台积公司发表的“3D多芯片与系统整合芯片（SoIC）的整合”论文则是揭露了完整的三维（3D）整合技术，此项系统整合芯片解决方案将不同尺寸、制程技术、以及材料的已知良好裸晶直接堆栈在一起。论文中提到，相较于传统使用微凸块的三维集成电路解决方案，台积公司的系统整合芯片的凸块密度与速度高出数倍，同时大幅减少功耗。此外，系统整合芯片是前段制程整合解决方案，在封装之前连结两个或更多的裸晶。因此，系统整合芯片组能够利用台积公司的整合型扇出（InFO）或CoWoS的后端先进封装技术来进一步整合其他芯片，打造一个强大的“3D X 3D”系统级解决方案。

除了上述的亮点论文之外，台积公司亦对高通公司发表的论文“7nm行动系统单芯片、5G平台技术及设计共同开发支持PPA与可制造性”做出贡献，阐述高通骁龙TMSDM855行动系统单芯片及采用7nm FinFET技术的全球第一个商用5G平台。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.tsmc.com.tw，以及http://vlsisymposium.org/press-kit。（Lisa WU，365PR Newswire）    （完）