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澜起科技高性能DDR内存缓冲控制器芯片设计技术获上海技术发明一等奖
2019/5/19 13:20:19     

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【产通社,5月19日讯】澜起科技集团有限公司(Montage Technology)官网消息,上海市2018年度科学技术奖励大会2019年5月15日隆重召开,会上宣读了《上海市人民政府关于表彰2018年度上海市科学技术奖获奖项目(个人)的决定》,共授奖300项。澜起科技作为独立完成单位,其“高性能DDR内存缓冲控制器芯片设计技术”荣获上海市技术发明奖一等奖。

本年度技术发明奖共评选出30项,其中一等奖9项,该奖项旨在“对标国际最高标准、最好水平,瞄准全球技术新发明”,在关键领域重大课题方面选拔和鼓励一批优秀的创新成果,表彰其在基础研究和发明创造、科技创新等方面作出的突出贡献。

在该获奖研发项目中,杨崇和博士带领研发团队攻克了内存接口技术瓶颈,通过系统架构设计、高速电路设计、低功耗设计等基于自主知识产权的技术发明,为CPU与内存间的数据交换搭建了一条“高速公路”,提高了内存数据读写带宽,改善了服务器性能,为全球高端服务器内存接口领域做出突出贡献。

由该团队发明的“1+9”分布式缓冲内存子系统框架,突破了DDR2、DDR3的集中式架构设计,创新地采用1颗寄存缓冲控制器芯片为核心、9颗数据缓冲器芯片的分布结构布局,大幅减少了CPU与DRAM颗粒间的负载,降低了信号传输损耗,解决了内存子系统大容量与高速度之间的矛盾。“1+9”架构已被JEDEC采纳为国际标准,成为DDR4 LRDIMM的标准设计,在全球各大数据中心得到广泛应用,凸显了公司的技术水平及创新能力,也提升了我国在内存接口领域的国际话语权。该项目共获得发明专利40项,其中国外发明专利23项、中国国内发明专利17项。

查询进一步信息,请访问官方网站http://www.montage-tech.com。(Lisa WU, 365PR Newswire)    (完)
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