【产通社，5月7日讯】安世半导体（Nexperia；原恩智浦标准产品事业部）官网消息，其MOSFET和LFPAK系列的新封装与最新硅技术相结合，可产生40V MOSFET，且提供0.7mΩ的较低RDS（on）。LFPAK88器件取代了较大的功率封装，如D2PAK和D2PAK-7。8×8mm的尺寸使得占位面积减少了60%，外形尺寸减小了64%。

Nexperia产品经理Neil Massey评论道：“将LFPAK88与我们的硅技术相结合，可以使MOSFET的功率密度达到D2PAK的48倍。这证明了LFPAK的发明者Nexperia仍然是这项技术的领导者。”


产品特点


LFPAK88 MOSFET分为汽车级（BUK）和工业级（PSMN）两种。汽车应用包括制动、助力转向、反向电池保护和DC-DC转换器，通过使用这种封装器件可以节省空间，这点在双冗余电路中特别有用。工业应用包括电池供电的电动工具、专业电源和电信基础设施设备。 

与其他性能通常受内部键合线限制的封装不同，LFPAK88器件采用铜片夹和焊接芯片连接结构，可降低电阻和热阻，实现良好的电流扩散和散热。此外，铜夹的热导性能还帮助减少了热点的形成，从而改善了雪崩能量（Eas）和线性模式（SOA）性能。经验证的高连续电流额定值ID（最大值）425A与低RDS（on）0.7mΩ结合在小尺寸封装中，其具有市场领先的功率密度，与D2PAK封装器件相比，最高可提高达48倍。

此外，LFPAK88 具有低应力鸥翼引脚，是一种更坚固耐用且耐热的封装，其可靠性水平比AEC-Q101要求的性能高出两倍多。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.nexperia.com/lfpak88。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）