【产通社，3月21日讯】安世半导体（Nexperia；原恩智浦标准产品事业部）官网消息，其已采用Trench 11技术实现具有史上最低导通阻抗的NextPower S3 MOSFET，该项突破并不影响其他重要参数，例如漏极电流（ID（max））、安全工作区域（SOA）或栅极电荷QG。

安世半导体Power MOSFET产品经理Steven Waterhouse先生表示：“安世半导体结合其独有的NextPowerS3超结技术与LFPAK封装，提供了具有低导通阻抗、高额定ID最大电流的MOSFET，同时不影响其SOA等级、质量和可靠性。这使新元件充分满足要求高性能、高可靠性和高容错性的应用需求，其中包括无刷直流（BLDC）电机控制（全桥式三相拓扑）；ORing服务器电源、热插拔操作和同步整流；蓄电池保护；手机快速充电和直流负荷开关。”


产品特点


很多应用均需要超低导通阻抗，例如ORing、热插拔操作、同步整流、电机控制与蓄电池保护等，以便降低I2R损耗并提高效率。然而,具备类似导通阻抗的一些同类器件，由于缩小晶圆单元间隔,其SOA（评估MOSFET耐受性的性能）和最大ID额定电流需要降额。

安世半导体的PSMNR58-30YLH MOSFET的最大导通阻抗仅0.67欧姆,其最大额定漏极电流提升至380A。该参数对电机控制应用尤为重要，因为电机堵转的瞬间会产生超大电涌，MOSFET必须可以承受这些电涌，才能确保安全可靠运行。一些竞争对手仅提供计算出的最大ID电流，但安世半导体产品实测持续电流能力高达380安培，并且100%最终生产测试的持续电流值高达190安培。

该器件支持LFPAK56（Power-SO8）和LFPAK33（Power33）封装，二者均采用独特的铜夹结构，可吸收热应力，提升质量和可靠性。LFPAK56封装的PSMNR58-30YLH，其安装尺寸仅30平方毫米，管脚间距1.27毫米。


供货与报价


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