【产通社，2月16日讯】Transphorm Inc.消息，其公布了氮化镓功率场效应管（FET）在600V和更高电压下的业界第一份完整的验证数据集。这些数据是该公司2018年12月公告的延伸，该公告显示Transphorm的GaN FET出货量迄今已超过25万个。

Transphorm全球技术营销副总裁Philip Zuk解释道：“在电源转换市场中，质量、可靠性和性能是衡量晶体管的三项主要指标。我们始终坚定地认为，以质量和可靠性为优先考虑可以实现高压GaN的成功。我们很自豪地看到这种战略取得了积极的成果，并认为有必要发布验证数据，以便潜在和现有客户能够了解GaN的真实能力。”

Transphorm质量和可靠性副总裁Ron Barr表示：“仅仅本征数据是不够的。本征测试为我们提供加速因子，我们将它与早期失效测试结合使用，以确定产品的早期失效率。这让客户可以轻松地对GaN器件做出准确的评估。将本征数据与非本征数据和现场失效率相结合，就为GaN FET的性能提供了完整的基线。”

该公司提供了两种新的数据——早期失效率（ELF）和现场故障率——以完善验证数据集，这标志着高压GaN技术的又一个重要里程碑。他们进一步地认为，Transphorm的GaN可靠性与其他的硅和碳化硅（SiC）解决方案相比具有竞争力并且有望超越——这是考虑到Transphorm的电源转换技术尚处于第一个成熟阶段，而硅晶体管早已成熟且SiC的发展已有十年的历史。

Transphorm的完整数据集涉及产品可靠性的五个方面：
- 产品认证：符合JEDEC和AEC-Q101标准。
- 超出标准要求的测试：包括在更高温度和电压下的开关、单粒子烧毁（SEB）、HTOL和HTGB测试。
- 本征寿命：衡量设备的“老化”寿命；也定义了故障模式和加速因子。
- 非本征寿命或ELF：预测现场故障率，单位为一年的菲特（FIT）或百万分率（ppm）；用于保修计算。
- 现场故障率：衡量器件在客户应用中的实际现场性能。


ELF


即早期失效率提供了以FIT和ppm为单位的最真实的图景。早期失效率是对可能导致器件失效的材料、设计和工艺控制中的潜在缺陷进行评估。值得注意的是，ELF是大多数客户保修索赔的原因，并且通常比老化故障发生得更早，比率也更高。因此，客户应使用ELF数据来确定保修风险和成本。Transphorm的ELF：
FIT：0.45；
ppm：4。


现场故障率


是客户系统在生产中发生的与所售部件总数相关的器件数量。根据Transphorm已售出的逾25万个FET及其13亿小时以上的累计工作时间，得出的现场故障率如下：
FIT：3.1
ppm：27.4（保守估计）

Transphorm的现场失效率与SiC齐平，据报道其数值低于5 FIT。此外，无论何种应用，Transphorm的ppm率随着时间的推移而持续下降，这表明其可靠性优于目前报告的水平。


本征寿命


本质上是设备的理论寿命，它假设材料老化是影响部件寿命的唯一因素。其数据使用“失效物理学”方法获得，通过提高电压和温度以测量故障时间，并构建用于预测最终寿命的相关模型。Transphorm的GaN本征老化数据：
平均无故障时间[MTBF]：1e11小时 [1100+万年]
寿命[100 ppm]：1亿小时 [11,415年]

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.transphormusazn.com，以及http://www.transphormchina.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）