【产通社，1月14日讯】电子科技大学（University of Electronic Science and Technology of China, UESTC）官网消息，其3个项目获得2018年度国家科学技术奖。其中，张万里教授团队的“敏感薄膜集成技术与应用”项目和程玉华教授团队的“基于电磁辐射场成像的XXX检测方法与装置”项目获得国家技术发明二等奖，邓龙江教授团队的“高磁导率磁性基板关键技术及产业化”项目获得国家科技进步二等奖。

张万里教授团队的获奖项目在李言荣院士带领下，攻克了装备构件上集成敏感薄膜材料“内应力大、附着力差”的难题，突破了极端环境下传感器“干扰大、信号弱”的技术瓶颈，形成了结构功能一体化的敏感薄膜集成生长知识产权体系，研制的系列特种传感器满足了多项国家重点工程急需，打破了国外技术封锁和产品禁运。

程玉华教授所在的电子测试技术与仪器研究团队，在国家及部委重大重点项目支持下，相继突破了电磁辐射场多波成像检测的多项核心关键技术，实现了重大装备在复杂电磁环境下的外场性能评估。相关成果已应用于我国航空、航海等军用领域以及国内数十家新能源装备骨干研制单位，对装备检测行业的发展起到直接推动作用。

邓龙江教授团队的获奖项目在国家重大重点项目的支持下，掌握了磁性基板集成应用的设计方法，实现了基板材料环保低成本批生产工艺，突破了系统集成、生产工艺、关键指标、技术标准等多项关键技术瓶颈，打破了国外技术和市场垄断并完成产业化。相关成果已在魅族、华为、小米、安费诺等国内外知名企业应用，产品销往美国、欧洲、日本、印度等数十个国家及地区。

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