【产通社，11月29日讯】中国科学院微电子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官网消息，其牵头组织的国家重点研发计划项目“战略性先进电子材料”重点专项项目“新型高密度存储材料与器件”2018年度总结研讨会11月10日在华中科技大学召开。项目负责人、微电子所刘琦研究员主持会议。 

华中科技大学科学技术发展院周光勇处长，项目咨询专家中科院半导体所陈弘达研究员、清华大学潘峰教授、华南理工大学杨中民教授，特邀专家武汉理工大学王嘉赋教授、武汉大学熊锐教授，以及项目科研骨干出席研讨会。会议特别邀请了“战略性先进电子材料”重点专项“高密度阻变储存器材料及器件集成技术研究”项目负责人张锋研究员，共同研讨如何加强上下游项目间的深度联动。 

周光勇对与会领导和专家的到来表示感谢，表达了华中科技大学对项目的重视和支持。项目负责人与各课题负责人分别汇报了项目进展情况。经过一年半的实施，项目组针对相变、阻变、新型铁电存储材料，选通材料器件与集成，多功能存储材料与器件开展了一系列研究工作。通过对材料工艺、组分、界面的优化初步获得性能达标的相变、阻变、铁电材料与器件；对选通器件的性能调控、尺寸微缩和阵列集成技术展开研究，初步实现了高选通比的选通器件。开展了多重物理场对于离子输运行为和纳米导电细丝演化过程的调控规律研究和电子—电子、电子—光子以及电荷—自旋—晶格等之间的关联作用对载流子输运行为的影响规律与机制研究。 

听取汇报后，与会专家肯定了项目进展，对开展过程中存在的问题提出了针对性意见，希望项目在整体目标下细化任务，衔接指标要求，进一步规范项目体系指标；在现有工作基础上，聚焦应用目标，继续深入应用关键技术研究，尽早实现技术的产业化应用。 

结合专家意见建议，项目组对未来工作展开了讨论，明确了下一步工作的重点，制定了课题间深度合作计划以及与其他相关项目的联动计划。针对专家提出的应用前景建议，项目组认为阻变存储器无论在嵌入式存储还是独立式大容量存储的应用领域都具有产业化优势。目前难点在于大规模制造平台的支持以及量产工艺开发。项目团队会继续努力，通过与相关项目的联动，实现项目整体的快速推进。 　　
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