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澜起科技第二代DDR4内存缓冲控制器芯片获中国芯年度突破奖
2018/11/13 7:09:43     

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【产通社,11月14日讯】澜起科技集团有限公司(Montage Technology)官网消息,其第二代DDR4内存缓冲控制器芯片M88DDR4RCD02获评2018年第十三届“中国芯”优秀产品“年度重大创新突破产品”。

“中国芯”秘书处统计,2018“中国芯”优秀产品征集共收到来自102家企业的154款产品的申报材料,企业数和产品数均创历届新高。最终,由澜起科技自主研发的第二代DDR4内存缓冲控制器芯片M88DDR4RCD02荣获本年度中国芯“年度重大创新突破产品”奖。


产品特点


M88DDR4RCD02是澜起科技推出的全球首颗第二代DDR4寄存时钟驱动器(RCD)芯片,是应用于新一代服务器平台的高性能内存缓冲控制器芯片。该芯片可应用于两种DDR4内存模组:寄存式双列直插内存模组(RDIMM)和减载双列直插内存模组(LRDIMM)。即,该RCD既可单独作为中央缓冲器用于RDIMM,又可以与第二代DDR4数据缓冲器(DB)芯片组成套片,用于减载LRDIMM,为新一代服务器和数据中心提供更高容量、更低功耗的内存解决方案。

该芯片完全符合JEDEC DDR4RCD02标准,支持DDR4-2667的数据速率,其性能和速率均远超第一代DDR4寄存时钟驱动器芯片,后者支持的最高数据速率为DDR4-2400。M88DDR4RCD02支持32位1:2的地址和控制信号的寄存缓冲,并具有奇偶校验功能。随着JEDEC标准和内存技术的发展演变,澜起科技凭借自身专有的高速、低功耗技术,先后推出了DDR2、DDR3、DDR4等一系列内存缓冲控制器芯片。目前,澜起科技是国内乃至全亚洲唯一可以为服务器内存市场提供内存缓冲控制器芯片的公司,其DDR4内存缓冲控制器芯片已占据国际市场的主要份额。


供货与报价


查询进一步信息,请访问官方网站http://www.montage-tech.com。(Lisa WU, 365PR Newswire)     (完)
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