【产通社，8月4日讯】联华电子（UMC）宣布，已产出采用URAM技术的65纳米客户产品。URAM是联华电子专利的嵌入式内存技术(eDRAM)，与传统嵌入式6T SRAM或外部DRAM相比，URAM技术可赋予芯片更高效能，更低功耗与更小尺寸。此项技术是纯晶圆专工业界唯一自行开发拥有的嵌入式DRAM解决方案，目前已用于生产联华电子90纳米客户产品。

URAM具备超高密度，仅为6T SRAM尺寸的1/4到1/5，其Macro area则约为SRAM的1/2到1/3，可使整体芯片面积变小，让芯片设计公司能够在更小的芯片区块内放入更多的功能。客户不论是采用URAM于联华电子标准或低漏电制程上，由于I/O drivers减少，因此能够设计出更高带宽，使得在降低功耗的同时也能提升操作速度。

URAM的逻辑制程兼容性，可微缩沟槽单元(trench cell)架构以及与SRAM相似的接口，这些特性使得URAM技术得以完美地与客户设计和现有硅智财做结合。由于URAM是联华电子自行开发的自有技术，因此针对采用此技术的客户设计，联华电子可提供完整而强力的设计支持。

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