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意法半导体PWD5F60高功率驱动器采用多基岛VFQFPN封装
2018/11/10 21:58:24     

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【产通社,11月10日讯】意法半导体(STMicroelectronics;NYSE股票代码:STM)官网消息,其PWD5F60高功率驱动器在15×7mm封装内集成了600V/3.5A MOSFET单相全桥与栅极驱动器、自举二极管、保护功能和两个比较器。散热效率更高的系统级封装比分立器件少占用电路板空间60%,同时可提高可靠性,简化设计和封装。PWD5F60是为控制工业泵、工业风扇、鼓风机、家电和工厂自动化等系统中的有刷直流电机专门设计的单相全桥模块,特别适用于采用单相无刷电机以保证高耐用性、高能效且成本合理的产品设备,良好的经济性和便利性使其也适用于电源。


产品特点


PWD5F60内部集成导通电阻为1.38Ω的N沟道MOSFET,优异的能效确保其能够处理中等功率负载。优化的栅极驱动器可提升开关可靠性,降低EMI(电磁干扰),而集成的自举二极管可实现高压启动,高边输入供电无需外部二极管和无源器件。

两个未受限的嵌入式比较器确保模块配置灵活多变,可以轻松实现峰值电流控制或过流和过热保护功能。峰值电流控制配合霍尔效应定位传感器,无需专用MCU即可实现独立的控制器,从而大幅降低控制电子系统成本。其它灵活性功能包括可调节的死区时间以及将MOSFET配置为单个全桥或两个半桥。工作电压范围从10V扩至20V,输入兼容3.3-15V控制信号,简化模块与霍尔传感器或主微控制器或DSP的连接。

驱动器模块已经内置防交叉传导和欠压锁定两项保护功能,以防止器件在低效率或危险条件下工作。


供货与定价


PWD5F60现已量产并上市销售,采用多基岛VFQFPN封装。查询进一步信息,请访问官方网站http://www.st.com/pwd。(Lisa WU, 365PR Newswire)    (完)
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