【产通社，11月8日讯】安森美半导体公司（ON Semiconductor Corporation；NASDAQ股票代码：ON）官网消息，其新的电源模块在高度集成和紧凑的封装中提供极佳能效、可靠性和性能，增添至公司已然强固的电源半导体器件阵容。太阳能逆变器、不间断电源（UPS）逆变级和工业变频驱动器（VFD）等应用中的功率级通常由分立的IGBT/MOSFET集成专用的驱动器和额外的分立器件构成。


产品特点


安森美半导体新的NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q2F2SG功率集成模块（PIM）提供紧凑、高度集成的方案，采用易于贴装的封装，节省空间和降低成本，极大地减轻设计人员的挑战。

这些器件采用Q1和Q2封装，用于30KW和50KW逆变器，集成场截止沟槽IGBT和快速恢复二极管，提供更低的导通和开关损耗，并使设计人员能够在低VCE（SAT）和低EON / EOFF损耗之间折衷，以充分优化电路性能。直接键合铜（DBC）基底支持大电流，最大限度地降低寄生电感的影响，令设计人员实现高的开关速度，以及以12.7mm的爬电距离提供3000Vrms的隔离电压。

此外，安森美半导体还推出了新的、充分优化的、超紧凑的智能功率级（SPS）多芯片模块FDMF3170，用于服务器、数据中心、人工智能加速器和电信设备中的DC-DC降压转换器。它集成两个基于安森美半导体PowerTrench技术的高性能功率MOSFET，和一个具有高精度电流传感器的智能驱动器以实现最佳的处理器性能。


供货与报价


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