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华虹半导体第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台成功量产
2018/10/19 22:51:57     

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【产通社,10月19日讯】华虹半导体有限公司(Hua Hong Semiconductor Limited;HKEX股票代码:01347)官网消息,其第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台已成功量产,该平台具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势,对于工业控制应用和DC-DC转换器等产品是理想的工艺选择。

第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台40V DMOS击穿电压达到52V,达到该节点领先工艺水平,可提高产品的驱动能力 ,减小芯片面积,扩大高压管安全工作区(Safe-Operation-Area, SOA),保证产品的高可靠性。该工艺平台最少光罩层数为18层。该工艺平台提供丰富的可选择器件,包括高阻、电容、Zener二极管、肖特基二极管等。此外,该平台还提供in-house设计的标准单元库、SRAM编译程序、IO和eFuse,从而为电源管理芯片提供完善的设计解决方案。

目前,在与国内外多家客户紧密合作下,公司已完成应用于电机驱动、快充、通讯、安防、DC-DC、LDO等多个领域芯片产品的验证,并成功进入量产。

查询进一步信息,请访问官方网站http://www.huahonggrace.com。(Lisa WU, 365PR Newswire)    (完)
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