【产通社，10月11日讯】安世半导体（Nexperia；原恩智浦标准产品事业部）官网消息，其NextPower Live线性模式MOSFET系列的最新产品——PSMN3R7-100BSE提供强大的安全操作区（SOA）和较低RDS（on）的最佳组合，非常适用于热插拔、软启动和电子熔断器应用。

Nexperia的产品经理Mike Becker表示：“服务器和通信基础设施公司正在将越来越强大的处理能力集中于叶片和基于机架的系统中，不断推高电力需求。可靠的热交换操作对于管理启动过程中遇到的浪涌电流至关重要，但随着功率水平和效率要求的提高，低RDS（on）也变得越来越重要。Nexperia的NextPower Live MOSFET提供了强SOA和低RDS（on）的标准组合，允许工程师设计超坚固的热插拔解决方案来管理浪涌电流，而较低的RDS（on）可以提供最高水平的效率。”


产品特点


与标准技术相比，新型PSMN3R7-100BSE MOSFETs改善了SOA，其线性模式性能提高了4倍，最大RDS（on）仅为3.95m?（典型值为3.36m?）——比以前的器件内阻约低18%。这些N沟道100V器件为D2PAK封装，结温为175°C。此外，这些器件与所有领先制造商的热交换控制器完全兼容。

将具有高SOA的MOSFET与热插拔控制器结合使用，旨在管理交换服务器主机板或其他插拔式系统时可能出现的高浪涌电流，确保顺利启动处理器板。前几代器件已经在SOA与RDS（on）之间做了优化，而新技术在不影响RDS（on）的情况下使SOA实现了最大化，从而保持了较高的操作效率水平。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.nexperia.com/products/mosfets/power-mosfets/PSMN3R7-100BSE.html。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）