【产通社，9月10日讯】中国科学院上海硅酸盐研究所（Shanghai Institute of Ceramics of the Chinese Academy of Sciences，SICCAS）官网消息，高热导氮化硅陶瓷基板具有高导热、高机械强度、高电绝缘、良好的抗热冲击以及低膨胀等特点，综合性能优于目前常用的氮化铝和氧化铝基板。氮化硅陶瓷基板在高端大功率电力、电子器件上有广泛的应用前景，可应用在高铁、新能源汽车、LED照明、风力发电和航空航天等行业。目前国内相关技术水平落后导致国内相关市场被欧、美、日等国家所垄断。

曾宇平研究员团队经过长时间研发，在高性能氮化硅基板材料领域取得了重要进展。研究团队通过对材料组分设计、显微结构调控、成型及烧结工艺等各环节精确控制和优化，突破了大尺寸高热导氮化硅陶瓷基板研制关键技术，成功研制了高稳定性高热导氮化硅基板。目前氮化硅基板平均热导率为95W/（m·k），最优可达到120W/（m·k），尺寸达到120×120mm2，厚度0.32mm，且外形尺寸能根据实际需求调整。同时实现了氮化硅基板的覆铜，打通了高热导氮化硅基板批量化生产的工艺路线。目前商用氮化硅陶瓷基片的热导率一般在80～90W/（m·k）（如东芝的氮化硅基片（TSN-90）的热导率为90W/（m·k）），因此本产品的性能指标完全能够满足商业化的需求。高热导氮化硅陶瓷基板的研究成功，将为国产大功率半导体器件，特别是IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的生产和研发提供有力支撑，预计将具有很强的经济效益和社会效益。
 
查询进一步信息，请访问官方网站http://www.sic.cas.cn。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）