微电子所在8吋平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆 - 半导体器件（企业动态）－全球企业门户

加入收藏

免费注册

今天是：2025年5月3日星期六您现在位于：首页 → 产通直播 → 半导体器件（企业动态）

微电子所在8吋平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆

2018/9/1 9:32:43

【产通社，8月31日讯】中国科学院微电子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官网消息，Henry Radamson研究员和王桂磊副研究员近日在先导中心8吋平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆。

该项技术突破，实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调，使Ge的带隙改变为0.7eV。以此类Ge衬底制备的PMOS器件实现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移率。这一成果为微电子学和光子学的单片集成提供了新的路径和解决方案。

查询进一步信息，请访问官方网站

http://www.ime.cas.cn。（Lisa WU, 365PR Newswire）（完）

→ 『关闭窗口』

-----
[ → 我要发表 ]

上篇文章：上海华魏科技2018上半年光纤传感监测整体方案营收1052…
下篇文章：第八代智能英特尔酷睿处理器助力笔记本、2合1产品卓…

→ 评论内容 (点击查看)

您是否还没有注册或还没有登陆本站？！

分类浏览


\| 官网评测	>\|	官网社区 APP
\| STEAM	>\|	学术科研产品艺术技术规范前沿学者
\| 半导体器件	>\|	产品通报企业动态 VIP追踪
\| 电子元件	>\|	产品通报企业动态 VIP追踪
\| 消费电子	>\|	产品通报企业动态 VIP追踪
\| 商业设备	>\|	产品通报企业动态 VIP追踪
\| 电机电气	>\|	产品通报企业动态 VIP追踪
\| 电子材料	>\|	产品通报企业动态 VIP追踪
\| 电子测量	>\|	产品通报企业动态 VIP追踪
\| 电子制造	>\|	产品通报企业动态 VIP追踪
\| 应用案例	>\|	家庭电子移动电子办公电子通信网络交通工具工业电子安全电子医疗电子智能电网固态照明
\| 工业控制	>\|	产品通报企业动态 VIP追踪
\| 通信电子	>\|	产品通报企业动态 VIP追踪
\| 交通工具	>\|	产品通报企业动态 VIP追踪
\| 基础工业	>\|	产品通报企业动态 VIP追踪
\| 农业科技	>\|	产品通报企业动态专家追踪
\| 信息服务	>\|	企业动态
\| 光电子	>\|	企业动态

┋ ┋ ┋ ┋ ┋