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微电子所在8吋平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆

2018/9/1 9:32:43

【产通社，8月31日讯】中国科学院微电子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官网消息，Henry Radamson研究员和王桂磊副研究员近日在先导中心8吋平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆。

该项技术突破，实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调，使Ge的带隙改变为0.7eV。以此类Ge衬底制备的PMOS器件实现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移率。这一成果为微电子学和光子学的单片集成提供了新的路径和解决方案。

查询进一步信息，请访问官方网站

http://www.ime.cas.cn。（Lisa WU, 365PR Newswire）（完）

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