（产通社，7月22日讯） 混合信号半导体解决方案供应商——IDT公司（Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI）宣布，其不断扩大的多口RAM系列又添两个新型双口RAM器件：70P3519和70P3599。该IDT解决方案有助于客户通过解决芯片间连接问题，增加带宽并降低设计复杂性，同时通过使用经过验证的成熟器件，实现快速上市。

从工业控制到医疗成像和通信，新的9Mb和4Mb双端口器件可实现高达200MHz的性能，以满足苛刻的存储器缓冲要求。这两款器件采用1.8V内核电压，比现有解决方案的功耗更低。双端口器件集成了存储器和控制逻辑，可以通过独立端口实现对通用中央存储器的同时存取。

新的9Mb IDT 70P3519和4Mb 70P3599是高速256K/128K x 36位同步双端口器件。两款器件可提供完整的同步功能，有助于IDT的客户优化其设计，获得更高的性能和更低的功耗。此外，这两款器件还有助于客户同时存取单个存储器地址，而无需外部器件。同步功能包括计数器、多个独立的芯片使能和字节使能（byte enable）及同步中断。此外，控制寄存器、数据和地址输入可实现最短的设置和保持时间，以便使产品更快上市。通过采用输入数据寄存器，这两款双端口器件为具有单向或双向数据流突发的应用进行了优化。一个由CE0和CE1芯片使能引脚控制的自动掉电特性，可允许每个端口的片上电路进入一种非常低待机功耗的模式。

70P3519和70P3599能够支持一个或两个端口上3.3V、2.5V或1.8V的I/O电压。这两款器件的内核电源（VDD）为1.8V。

70P3519和70P3599均采用与现有IDT双端口解决方案一样的封装：256引脚球栅阵列（BGA）、208引脚塑料方形扁平（PQFP）和208引脚细间距球栅阵列（fpBGA）。查询进一步信息，请访问http://www.idt.com/go/synch-dp。