【产通社，8月31日讯】深圳基本半导体有限公司（Shenzhen BASiC Semiconductor Ltd.）官网消息，深圳卫视深视新闻栏目“新时代新篇章新作为”系列报道，全面展示了其在第三代半导体碳化硅功率器件领域的创新成果及企业发展规划。

碳化硅（SiC）是目前新兴的第三代半导体材料。与传统的硅材料相比，碳化硅具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高等独特的性能，可广泛应用于新能源发电、新能源汽车、智能电网、家用电器、消费电子、国防军工等领域，是世界各国半导体研究领域的热点。

基本半导体是中国碳化硅功率器件领军企业，自主设计研发6吋JBS碳化硅晶圆以及4吋MOSFET碳化硅晶圆，同时推出基于3D SiC技术的碳化硅肖特基二极管和MOSFET产品，各项性能达到国际领先水平。在深圳市委市政府的支持下，基本半导体与多家单位发起共建深圳第三代半导体研究院，打造国家第三代半导体技术创新中心。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.basicsemi.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）