（产通社，7月15日讯）全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司 (International Rectifier)推出25V同步降压式转换器DirectFET MOSFET芯片组，适用于负载点(POL)转换器设计，以及服务器、高端台式和笔记本电脑应用。

新25V芯片组结合了IR最新的HEXFET MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，在SO-8占位面积及0.7mm纤薄设计中实现了高密度、单控制和单同步MOSFET解决方案。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M器件的特点包括：非常低的导通电阻(RDS(on))、栅极电荷(Qg)和栅漏极电荷(Qgd) ，以实现高效率和散热性能，并可实现每相超过25A的工作。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“IRF6710S2控制MOSFET具备极低的栅极电阻(Rg)及电荷，而且当与IRF6795M和IRF6797M这些集成了肖特基整流器的同步MOSFET共同设计时，能够实现高频、高效DC-DC转换器解决方案，在整个负载范围发挥卓越性能。”

IRF6710S拥有0.3Ω的极低栅极电阻和3.0nC的超低米勒电荷(Qgd) ，可以大幅减低开关损耗，使这些器件非常适合作为控制MOSFET使用。

IRF6795M和IRF6797M拥有极低的RDS(on)，可以显著减少导通损耗，而集成的肖特基整流器可以降低二极管导通损耗和反向恢复损耗，使这些新器件非常适合大电流同步MOSFET电路。IRF6795M和IRF6797M采用通用MX占位面积，能轻易由原有SyncFET器件转向使用新器件。

新器件符合电子产品有害物质限制规定 (RoHS)，并已接受批量订单。
 
详细信息可以登录IR网站查询http://www.irf.com/whats-new/nr080710.html。