【产通社，7月28日讯】长江存储科技有限责任公司（Yangtze Memory Technologies Co., Ltd., YMTC）官网消息，当地时间8月7日下午3时（北京时间8月8日晨6时），长江存储CEO杨士宁博士将于圣克拉拉会议中心（加尼福尼亚州，美国）发表《创新架构，释放3D NAND闪存潜能》的主题演讲。届时，杨士宁博士将会介绍此项技术是如何将NAND传输速率提升至DRAM DDR4相当的水准，同时使存储密度达到行业领先水平，实现闪存行业的划时代跃进。

作为3D NAND闪存产业的新晋者，长江存储今年将首次参加闪存峰会（Flash Memory Summit），并发表备受期待的主题演讲，阐述其即将发布的突破性技术Xtacking。长江存储是中国首家进军高门槛NAND闪存行业的公司，此次揭晓的Xtacking新型架构技术将为3D NAND闪存带来前所未有的高性能，更高的存储密度，以及更短的上市周期。


产品特点


Xtacking技术将为NAND闪存带来前所未有的超高传输速率，从而将NAND闪存应用产品，如UFS、消费级及企业级SSD的性能提升至全新的高度。在客户、行业伙伴以及标准机构的合力帮助下，Xtacking将为高性能的智能手机、个人计算、数据中心和企业应用展开新篇章。

Xtacking技术实现了NAND矩阵与外围电路的并行加工。这种模块化闪存开发和制造工艺将大幅缩短新一代3D NAND闪存的上市时间，并使NAND闪存产品定制化成为可能。


供货与报价


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