【产通社，7月18日讯】安世半导体（Nexperia；原恩智浦标准产品事业部）官网消息，其已优化其用于C型USB接口的TrEOS ESD保护二极管系列。新的USB3.2标准在Rx输入端引用了一个可选电容器，因此Nexperia现在推出了两组元件：一组元件在连接器和电容器之间提供极高的浪涌抗扰度，另一组元件则具有极低的触发电压，用于放置在电容器和系统芯片之间。

Nexperia产品经理Stefan Seider表示：“C型USB和USB Power Delivery提供的选项非常具有吸引力：为确保最终用户可以享受高达20Gbps的数据速度和高达100W的充电速度，Nexperia提供了两种TrEOS保护系列，可支持围绕新型USB3.2 Rx电容的每一种保护策略，用于防止敏感收发器遭受可能的故障条件影响。”


产品特点


TrEOS ESD保护技术采用有源硅控整流器，可实现极低电容（低至0.1pF）、极低的钳位（动态电阻低至0.1Ω）以及非常高的浪涌和ESD脉冲抗扰度（对于非常快速的数据线，最高可达20A 8/20μs）的最佳组合。接通时间也非常快，约为0.5ns，器件可承受高达30kV的接触放电，超过IEC 61000-4-2标准4级水平。在8/20 IEC61000-4-5标准下，保护装置放置于电容器之前的TrEOS应用器件目前可用于业界领先的峰值脉冲电流额定值9.5、15和20A。在电容器之后使用的TrEOS器件同样具有业界领先的性能，具有低至4.3V的最低触发电压（Vt1）。这些特性也适用于A型USB和MicroUSB接口。

TrEOS保护二极管采用广泛使用的0603规格进行封装。DSN0603-2（SOD962-2）封装非常紧凑且稳健，其优点是没有封装接线，可消除另一种故障模式，并产生最低的电感，以实现最快的保护。该封装非常适合移动和计算应用项目。还提供了其他节省空间的封装。


供货与报价


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