【产通社，6月30日讯】Qorvo公司（Nasdaq股票代码：QRVO）官网消息，其新一代USB Type-C与USB Power Delivery 3.0产品，其高性能X频段前端模块（FEM）——QPM2637和QPM1002针对下一代有源电子扫描阵列（AESA）雷达设计，符合出口标准的氮化镓（GaN），满足任务关键型操作所必需的高RF功率生存性要求。

Qorvo高性能解决方案总经理Roger Hall表示：“利用Qorvo经过现场验证的GaN技术，客户可解决许多AESA雷达系统设计相关挑战，包括提高功率输出和可靠性。新推出的GaN模块符合出口要求，提升了我们交付最高级别集成产品（4合1产品）的能力，有助于客户针对任务关键性雷达系统选择尺寸最小但性能最高的FEM。”


产品特点


新型FEM（QPM2637和QPM1002）采用公司的创新GaN技术构建，可实现更高的效率、可靠性、功率和生存性，同时可缩减尺寸、重量和成本。预计到2022年，适合雷达应用的RF前端组件的需求量将超过10亿美元，未来五年的复合年增长率为9%。由于GaN普及率明显超过其他技术选项，因此预计未来五年，国防应用的RF GaN器件市场（如雷达、电子战和通信）的复合年增长率将达到24%。

GaN FEM在紧凑的单封装中集成了四种功能，包括RF开关、功率放大器、低噪声放大器和限幅器。典型的砷化镓（GaAs）低噪声放大器在不到100mW的输入功率条件下都会受损，与之相比，GaN FEM的接收端可承受最高4W的输入功率，且不会造成永久损坏。


供货与报价


符合资格的客户现在可索取这些符合EAR99出口要求的新产品样品。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.qorvo.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）