【产通社，6月15日讯】群联电子股份有限公司（Phison Electronics Corporation；TWSE股票代码：8299）官网消息，个人数据量随着照片、影音、游戏的存储需求只增不减，全球存储消费者正朝向TB世代迈进，而日系及美系两大国际闪存制造厂不约而同在今年开始推出QLC闪存（NAND Flash）高密度内存容量的3D NAND Flash以加速TB世代的来临。有鉴于市场强劲需求，其USB、存储卡、eMMC/UFS、SSD等闪存主控皆全面支持QLC规格，并正式推出第四代Smart ECC以发挥QLC之极致效能，让存储产品的记忆容量、读写延迟与存储质量达到完美平衡。


产品特点


QLC（四阶存储单元）NAND Flash技术具备高密度容量特性，相较于TLC（三阶存储单元）规格的NAND的位密度约高出3成以上，因此QLC规格产品的推出，将有助于带动TB（terabyte）等级大容量存储装置的普及化。群联电子累积18年的闪存主控自主设计开发经验，与闪存制造厂共同研发支持高密度内存单元的闪存，包括从SLC、MLC、TLC至今日的QLC规格，具备完整芯片设计之自有技术，包括闪存主控差异化特性的NAND Flash ECC（Error Correction Code）的纠错效能推出SmartECC技术，使用群联电子闪存主控搭配任何NAND Flash皆可以提升数据保护的效能，为了发挥QLC最大效能，群联电子也特别推出第四代的Smart ECC。

群联电子Smart ECC之数据纠错保护机制为，当数据被写入到NAND Flash内部时，控制器同时会产生一组校正码与数据一起存入，数据从NAND读回时若发生错误，闪存主控会通过校正码更正数据，若发生的错误无法通过ECC校正码成功更正，这笔数据就会进入Smart ECC的补救流程, 藉由特别设计的Smart ECC算法修正数据, 提升数据可靠性。


供货与报价


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