【产通社，6月14日讯】Transphorm Inc.消息，海韵电子工业股份有限公司（Seasonic Electronics Co.）在其新型1600W无桥式图腾柱功率因数校正（PFC）平台：1600T上使用了Transphorm的高电压（HV） GaN FET。迄今为止，1600T是该电源制造商性能最高的PFC平台，效率高达99%以上。尤其是与海韵电子上一代硅基平台相比，引入GaN使得效率提高了2%，功率密度增加了20%。1600T平台具有可扩展性，可在各类目录产品中进行部署，适用于充电器（电动踏板车、工业级充电器等）、游戏机、服务器以及PC电源市场等。

海韵电子研发总监Paul Lin表示：“在我们研究能使公司达到世界领先效率水平的半导体技术时，氮化镓作为极具吸引力的硅替代品脱颖而出。我们深知需要在公司的第一个高电压GaN电源平台中使用无桥式图腾柱PFC拓扑结构。因此，我们需要能够成功使用该拓扑结构的功率半导体。此外，我们还需要一个能获得公司标准保修支持的GaN解决方案。鉴于其经过验证的性能与可靠性能使我们满足这些要求，公司最终在1600T平台中选择了Transphorm的FET。”


应用特点


该1600T平台采用Transphorm的TP65H035WS器件，该产品为650V GaN FET，采用标准TO-247封装，RDS（on）值为35mΩ。该晶体管在软硬开关电路中实现了更高的效率，为电源系统工程师提供了设计产品时的更多选择。此外，TP65H035WS可与常用栅极驱动器配套使用，用于在控制成本的同时简化设计。

在开发GaN平台和FET时，Transphorm优先考虑质量和可靠性（Q+R）。这一优先考虑效果十分显著，为设计人员提供了更高的安全性；与市面上的其他GaN FET相比，Transphorm GaN通常可提供更大的净空高度与更强的抗噪声性。TP65H035WS的典型栅极阈值为4V（最大栅极电压为±20V）。

由于相对而言，GaN在高电压应用领域中尚属新鲜事物，除技术本身之外，Transphorm还提供深入的现场应用支持和实际操作培训。海韵电子借助这家半导体公司的专家之力，帮助其加强自身的设计，同时缩短了上市时间。例如，Transphorm提供的指导可帮助海韵电子公司团队利用简单、低成本的数字信号处理器（DSP）来控制图腾柱PFC。

此外，Transphorm还在该平台的元件选择与系统布局方面提供了帮助，确保呈现最优的GaN性能。最终，双方的联合开发对海韵电子公司提高热效率同时增加功率输出的能力产生了直接影响：成功打造出能够实现海韵电子公司愿景的HV GaN平台。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.transphormusazn.com。    （完）