【产通社，6月13日讯】恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ股票代码：NXPI）官网消息，其推出用于实现5G基础设施的新型射频前端解决方案，解决了在开发用于5G大规模多输入多输出（mMIMO）的蜂窝基础设施时，涉及的几个最棘手的问题，包括功率放大器集成、不断缩小的电路板空间、实际占位面积以及不同型号之间的引脚兼容性。

恩智浦资深副总裁兼射频功率事业部总经理Paul Hart表示：“凭借我们的领先优势和在无线通信行业的雄厚技术实力，我们在作为合作伙伴继续为客户提供5G解决方案方面处于非常有利的地位。”


产品特点


mMIMO是5G的重要基础，因为它能够满足网络对射频（RF）技术的需求，以应对5G即将带来的数据使用量激增。mMIMO在特定频谱中传输的数据量远多于当前和传统的无线电技术。新型前端解决方案旨在应对开发外形尺寸最小的经济高效型高性能解决方案的关键挑战，为蜂窝基础设施提供新一代有源天线系统（AAS）。简而言之：将mMIMO需要的一切功能集成到尽可能小的器件中。

恩智浦前端解决方案覆盖了对早期5G蜂窝网络开发最关键的频率范围，即2.3-5GHz。用于5G实现的恩智浦前端解决方案包括对开发mMIMO射频前端最关键的三种不同功能：
- 高效率功率放大器模块（PAM），在输入端和输出端完全匹配至50Ω，实现了占位面积和引脚兼容，覆盖广泛的功率水平范围和频段，并采用相同的板设计；
- 前置驱动器放大器模块，具有超低的功耗，覆盖从2.3-5GHz的整个频率范围，在器件系列内部实现完全的占位面积和引脚兼容；
- 接收器前端模块，提供集成的时分双工（TDD）切换和用于信号接收的低噪声放大（LNA）功能。

恩智浦充分利用硅基LDMOS技术，为射频产品客户提供最有利的成本结构。自从几十年前问世以来，LDMOS经历了持续创新。LDMOS能够提供持续提高的高功率水平，具有很高的增益和效率，再结合出色的耐用性和低发热特征，这些优点使得它成为射频功率放大器应用中的主导器件技术，适用于从1GHz以下到3GHz的频率范围。恩智浦的LDMOS技术现在将其领先地位扩展到高达5GHz的频率范围。使用LDMOS技术，这些解决方案能够提供与非硅基射频功率晶体管同等的高性能，而且可靠性更高，成本更低。


供货与报价


大多数用于5G实现的恩智浦前端解决方案目前已经面市，很快还将有更多产品推向市场。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.nxp.com/RF。    （完）