【产通社，6月6日讯】安世半导体（Nexperia；原恩智浦标准产品事业部）官网消息，其新推出的第9代Trench技术低Rds（on）汽车级MOSFET符合AEC-Q101规范，40V汽车级超级结MOSFET采用了坚固耐用、高电与热效率的LFPAK56E封装，与传统的裸片模块、D2PAK或D2PAK-7器件相比，减少了高达81%的占用空间。这款导通内阻0.9mΩ，额定直流电流220A的BUK9J0R9-40H MOSFET适用于功率高达1.2kW的应用，与之前最佳的解决方案D2PAK器件相比，成本更低。

产品营销经理Norman Stapelberg评论道：“Nexperia是唯一一家拥有低压超级结MOSFET平台的公司。就整体可靠性和性能而言，Nexperia是市场领导者 - 坚固耐用的Trench 9超级结技术与超级强劲的 LFPAK56和LFPAK56E封装相结合，可使工程师放心地将该器件用于其安全攸关设计中。”


产品特点


除了降低RDS（on），这款新器件还将直流电流额定值增加到220A – 这对于汽车级Power-SO8封装尺寸的器件而言尚属首次。它可在较小的占用空间里实现更高的功率密度，这对于需要双冗余电路的安全攸关汽车应用特别有用。超级结技术的使用提供了更高的抗雪崩能力和更大的安全工作区间，改善了在故障情况下应用的性能表现。

LFPAK56 Trench 9 MOSFET可轻松并联使用于高电流应用。该器件符合各种汽车功能的需要，例如动力转向应用中的电机控制（有刷与无刷）、变速箱控制、ABS防抱死系统、ESC电子稳定控制系统、泵（水、油和燃料）、风扇转速控制、反向电池保护和直流-直流变换器。


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