2006年2月9日，北京讯 -- 麻省理工学院(MIT)的研究员将在著名的国际固态电路会议(ISSCC)上展示一款采用德州仪器(TI)先进65纳米CMOS工艺制造的超低功耗(ULP)256kb静态随机存取存储器(SRAM)测试器件。该款SRAM专为要求高性能、低功耗的电池供电设备开发而成，能够提供业界最低的电压，而且设计人员正在考虑为该产品采用TI的SmartReflex电源管理技术来延长移动产品的电池使用寿命。
    与0.6V的6T对应产品相比，0.4V亚阈值的SRAM的泄漏功率降低了2.25倍。256kb SRAM利用TI 65纳米工艺实现了更小巧的外形，每个位单元(bitcell)包含10颗晶体管，使工作电压能够降至400mV。
    MIT的Anantha P. Chandrakasan教授指出："超低功耗工作对许多新兴商业和军事应用而言都是至关重要的。MIT研究生利用TI与DARPA的资金开发出了采用65纳米CMOS工艺的超低电压逻辑与存储器电路，工作电压低于400mV。供电电压能降到如此低的水平，这对期望能耗最低的应用至关重要，同时能实现超动态的电压缩放(U-DVS)。ULP技术的目的就是大幅降低功耗，同时尽可能减小对系统性能的影响。"

·MIT的亚阈值电路研究组
    SRAM开发是针对电池供电设备推出超低功耗(ULP)逻辑和存储器计划的一部分，建立在TI与MIT多年合作的基础之上，并由美国国防高级研究计划局(DARPA)提供部分资金。该合作项目致力于节约有限电力，使电压降至亚阈值，并确保实现超低功耗与高性能。此外，开发存储器模块和逻辑与开关模式电源(SMPS)等其它功能也属于该项目范围。
    MIT的工作包括分析给定系统的最小功耗点，根据亚阈值电路的功耗特点进行建模，以及电路类型与架构的开发等。MIT以新兴应用为重点研究对象，因为能源效率的重要性对这些应用来说大大超过了传统的速度需求。

·扩展SmartReflex技术
    MIT与TI联合开发的SRAM器件建立在TI先进的65纳米工艺基础之上，其集成的多种技术能够充分满足业界日益增长的低功耗要求。多媒体及其他高级功能对处理能力的要求不断提高，同时逐步降低功耗并控制散热也变得至关重要，这对无线应用而言尤为如此。TI解决方案是 SmartReflex动态电源管理技术，这种技术可根据用户需求自动调节电源电压，从而有助于控制功耗。
    SmartReflex技术通过监控电路速度可以动态地调节电压，以便在不降低系统性能的情况下准确地满足性能要求。因此，对于每一种工作频率而言，我们都能恰到好处地采用最低的功率，这就延长了电池的使用寿命，并降低了设备产生的热量。SmartReflex技术能够将256kb SRAM的电压调节至亚阈值，这进一步突显和扩展了其强大的功能。