（产通社，5月29日讯）英特尔公司与美光科技有限公司（纽约证券交易所：MU）日前推出了业内首个亚40nm NAND储存器件，从而揭开了34纳米32Gb多级细胞芯片的神秘面纱。这一制程技术由英特尔与美光公司共同开发，由两家公司的NAND闪存合资企业IM Flash Technologies (IMFT)制造生产。它是市场上最小的制程几何结构。32Gb的NAND芯片是该密度下唯一适合标准48线纤细外形封装(TSOP)的单片装置，为提高现有应用产品的密度提供了一个低成本高效率的方法。

34纳米32Gb的芯片将在300毫米的芯片上制造，每块芯片大约生产1.6太字节的NAND。该芯片尺寸仅为172毫米，比拇指甲还小，它允许在小型化应用产品中使用高密度的固态存储，经济实惠。单个32Gb芯片可以储存2000多张高分辨率的数码照片，或者在个人音乐播放器中存储多达1000首歌。两个8模堆叠封装可以实现64千兆字节(GB)的存储量，足以支持数码摄像机录制 8至40小时的高清录像。
 
该34纳米32Gb芯片针对固态硬盘设计。本产品可实现更经济实惠的SSD，立刻将这些设备的现有存储容量扩大一倍，使当前的标准小型1.8英寸外形尺寸的驱动容量超过256GB。SSD已逐渐成为笔记本电脑的新存储设备，与硬盘相比，它的功耗更低、开机时间更短、稳定性更好、性能更强、噪音也更低。随着NAND制程技术的改进（例如34纳米NAND制程等），SSD现在可拥有多种不同容量，以满足市场需求。

预计客户样品将于6月份开始发货，预计在今年下半年进行量产。另外，英特尔和美光公司还计划以34纳米架构为基础，于本年底推出包括单级细胞产品在内的低密度多级细胞产品。

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