【产通社，5月1日讯】上海微技术工业研究院（Shanghai Industrial μTechnology Research Institute Co.,Ltd.，SITRI）官网消息，其HV600/HV650系列8吋硅基GaN外延晶圆产品面向量产应用，具备高晶体质量、高材料均匀性、高耐压与高可靠性等特点，同时实现材料有效寿命超过1百万小时，成功解决了困扰硅基GaN材料应用的技术难题，适用于中高压硅基GaN功率器件的产业化应用。 


产品特点


相较于传统半导体材料，第三代半导体材料GaN具有宽禁带、高饱和载流子速度、高击穿电场、耐高温、抗辐射等突出优点，适用于新一代高速度、高效率功率器件制造，在无线充电、快充、云计算、5G通讯、激光雷达、新能源汽车等领域具有广泛的应用前景。与此同时，硅基GaN材料具有明显的成本优势，在采用大尺寸硅晶圆作为外延衬底的情况下，可以实现媲美传统硅基功率器件的低成本制造。因此，硅基GaN技术也被认为是新型功率电子器件的主流技术。

为满足600V/650V耐压需要，上海微技术工研院采用超过4微米的厚膜外延生长技术。通过优化的GaN外延晶体生长控制，解决了GaN与硅材料因晶格失配导致的晶圆翘曲、晶体质量缺陷等问题。HV600/HV650系列材料实现了无龟裂、低翘曲度（≤±50μm）与低表面粗糙度（≤0.3nm），满足了8吋功率器件的量产加工要求。

HV600/HV650系列8吋硅基GaN外延晶圆产品，突破了硅基GaN器件量产制造的材料瓶颈，在业界率先实现了1百万小时以上的高可靠性。与此同时，HV600/HV650系列产品中也拥有6吋等小尺寸外延晶圆，满足产业界对于多种尺寸的硅基GaN外延材料的需求。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.sitrigroup.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）     （完）