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Qorvo推出QPD1025碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC) RF晶体管
2018/4/2 21:54:19     

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【产通社,4月2日讯】Qorvo公司(Nasdaq股票代码:QRVO)官网消息,其推QPD1025是全球功率最高的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)RF晶体管。

Qorvo高功率解决方案部总经理Roger Hall表示,“这款新型高功率晶体管无需结合放大器的复杂操作便可实现数千瓦的解决方案,能够大幅节省客户的时间和成本。与LDMOS相比,QPD1025的漏极效率有了显著提升,效率高出近15个百分点,这对IFF和航空电子应用来说都非常重要。”


产品特点


QPD1025在65V下运行1.8KW,提供出色的信号完整性和更大的范围,这对L频段航空电子和敌我识别应用来说至关重要。

Qorvo提供业内种类最多、最具创意的GaN-on-SiC产品组合。Qorvo产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点,早在2000年就开始批量生产。


供货与报价


QPD1025的工程样品现已上市。查询进一步信息,请访问官方网站http://www.qorvo.com/。(Lisa WU, 365PR Newswire)    (完)
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 365pr_net
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