【产通社，3月20日讯】湖北台基半导体股份有限公司（R&D Electronics；股票代码：300046）2017年年度报告显示，其报告期内持续进行的研发项目主要有7.5KV高压器件、焊接模块和IGBT模块、ETO（新型高压场控可关断晶闸管器件）、高功率脉冲开关等，器件种类不断丰富，除个别在研外均已实现量产，成为新的增长点，增强了公司的核心竞争力。

2017年，公司取得专利8项，具体利情况（名称、专利类型、专利号、申请日期、期限）如下：
全压接封装高压半导体器件    发明    ZL201210448143.X    2012年11月12日    20年
一种Al-Ga复合扩散掺杂方法    发明    ZL201210554051.X    2012年12月19日    20年
母排联接式高性能IGBT模块及其制作方法    发明    ZL201310217477.0    2013年05月31日    20年
高压快开通晶闸管及其制造方法    发明    ZL201310374762.3    2013年08月26日    20年
一种缓冲层的扩散方法    发明    ZL201310402933.9    2013年09月06日    20年
一种自对准功率半导体芯片测试夹具    实用新型    ZL201621197593.6    2016年11月07日    10年
一种高压整理管芯片    实用新型    ZL201621197366.3    2016年11月07日    10年
一种电力电子模块门极引出装置    实用新型    ZL201720457399.5    2017年04月27日   10年

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.tech-sem.com。（robin, 张底剪报）    （完）