【产通社，3月4日讯】安世半导体（Nexperia；原恩智浦标准产品事业部）官网消息，其功率MOSFET产品NextPower 100V系列具备低反向恢复电荷（Qrr），且包括以LFPAK56（PowerSO8）封装（结温可达到175°C）的器件。

功率MOSFET产品经理Mike Becker先生表示，“Qrr值是常常被关注的参数，该参数对许多设计方面有重大影响。低的尖峰意味着EMI降低了，同时优化的死区时间进一步实现了的效率增益。这也是我们在Nexperia所追求的。我们已经展示了低QRR值对这两项功能都是有益的。”


产品特点


NextPower 100V MOSFET是Nexperia针对高效开关和高可靠应用的最新一代器件。其具备低50%的RDS（on）值和强大的雪崩能量指标，因而是电源、电信和工业应用方面的理想选择，尤其适合用于USB-PD、Type-C充电器和转换器及48V DC-DC转换器。该器件具备低体二极管损耗，其Qrr值低至50纳库伦（nC）- 导致较低的反向恢复电流（IRR），较低的电压尖峰（Vpeak）及降低的振铃纹波（有利于进一步优化死区时间）。 

新型NextPower 100V MOSFET有三种可用的封装形式：TO220和I2PAK插件封装，及流行的LFPAK56封装（贴片封装）。所有封装形式的器件都具备175°C的Tj（max），且完全符合IPC9592扩展温度要求，因而使NextPower 100V MOSFET特别适合于电信和计算方面的应用。 


供货与报价


NextPower MOSFET器件现已量产，可供货。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.nexperia.com。    （完）