【产通社，1月23日讯】中国科学院微电子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官网消息，株洲中车时代电气股份有限公司国内首条6英寸碳化硅（SiC）芯片生产线近期顺利完成技术调试，厂务、动力、工艺、测试条件均已完备，可实现4吋及6吋SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研发与制造。与其他半导体材料相比，SiC具有宽禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿场强，以及高热导率等优异物理特点，是新一代半导体电力电子器件领域的重要发展趋势。 

微电子所自2011年起与中车株洲电力机车研究所有限公司共建“新型电力电子器件联合研发中心”，开展了SiC电力电子器件研制和产品开发，在大容量SiC SBD、MOSFET电力电子器件产品研发和产业化方面取得了突破进展，实现了600-6500V/5-200A SiC SBD产品开发，以及600-1700V/5-20A SiC MOSFET器件研制。 

2017年8月，微电子所与株洲中车时代电气股份有限公司共同完成了《高性能SiC SBD、MOSFET电力电子器件产品研制与应用验证》成果技术鉴定，实现了高性能SiC SBD 650V/150A、1200V/100A、1700V/50A、3300V/32A和5000V/3A五个代表品种和SiC MOSFET 600V/5A、1200V/20A和1700V/5A三个代表品种，产品处于国内领先、国际先进水平，部分产品已在地铁车辆牵引系统、光伏逆变器、混合动力城市客车变流器等领域获得应用。科技部详细报道了微电子所该项成果，进一步扩大了微电子所在宽禁带电力电子器件领域的影响力。 

本次SiC生产线工艺调试的顺利完成，将显著提高我国核心功率半导体器件研发制造能力，为加快我国SiC电力电子器件产业布局、抢占未来科技和产业制高点提供有力技术支持。
 
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