【产通社，1月14日讯】美光科技（Micron Technology；NASDAQ股票代码：MU）官网消息，其和英特尔发布了双方NAND存储联合开发计划的最新动态。这段成功的合作关系已帮助两家公司开发出行业领先的NAND技术并顺利推向市场。

此次发布内容包括两家公司商定将各自独立开发新世代3D NAND技术。双方同意共同完成第三代3D NAND技术的开发，该技术将在2018年末交付，并持续到2019年初。在此技术节点之后，两家公司将独立开发3D NAND技术，针对各自的业务需求更好地优化技术和产品。

美光科技和英特尔均预期各自未来的3D NAND技术节点开发步调不会发生改变。两家公司目前正量产以第二代3D NAND（64层）技术为基础的产品。双方仍将继续在位于犹他州李海的Intel-Micron Flash Technologies（IMFT）合资工厂联合开发和制造3D XPoint产品，该工厂现已完全专注于3D XPoint存储的生产。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.micron.com。    （完）