加入收藏
 免费注册
 用户登陆
首页 展示 供求 职场 技术 智造 职业 活动 视点 品牌 镨社区
今天是:2024年4月30日 星期二   您现在位于: 首页 →  产通直播 → 半导体器件(产品通报)
美光(Micron)推出4GB DDR3笔记本内存模块试用产品
2008/4/1 18:38:46     美光(Micron)

(产通社,4月1日讯)美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.,纽约证券交易所:MU)宣布,推出4GB DDR3内存模块试用产品。该产品采用2Gb组件,提供业界密度最高的笔记本电脑DDR3内存模块。

随着大量使用图形的操作系统和其它处理海量内容的应用程序在市场不断发展,高密度内存模块对笔记本电脑的重要性越来越高。美光DDR3模块产品组合涵盖了从512MB到现在的4GB的各种密度规格,这些模块速度快、密度高、功率低,可使上述系统和应用程序更有效地运行,并提高电源效率。

美光公司内存事业部副总裁Brian Shirley说:“我们新推出4GB DDR3模块,让用户轻松把握更大容量的内存带来的性能优势。”

美光公司还宣布,其512MB、1GB和2GB DDR3笔记本内存模块已通过英特尔公司的验证,可用于即将推出的Intel Centrino 2处理器技术移动平台。美光的4GB DDR3笔记本内存模块目前正在接受英特尔公司的验证。如需查阅已获英特尔芯片平台验证的完整产品列表,

英特尔公司行业计划与业务渠道拓展总监Ali Sarabi说:“美光公司正在开发的DDR3内存产品将在2008年为英特尔的高性能桌面、工作站、服务器和移动平台提供支持。DDR3架构和DDR3产品对于英特尔的领先产品路线图至关重要。”

美光公司的DDR3内存模块支持的数据速率最高可达每秒1333兆位,系统和图形的性能都会因此得到改善,可为用户带来互动性更强的使用体验。DDR3的电源电压为1.5伏特,相比DDR2的1.8伏特电源电压,功耗最多可降低30%。

美光的512MB、1GB和2GB内存模块现已投入量产,基于2Gb组件的DDR3 4GB内存模块预计于2008年第二季度投入量产。了解这些产品的详细情况,请访问:www.micron.com/ddr3sodimm

    (完)
→ 『关闭窗口』
 dav
 [ → 我要发表 ]
上篇文章:IDT推出DisplayPort兼容接收方案PanelPort
下篇文章:国半LM3553:可配置128个亮度级的闪光灯LED驱…
  → 评论内容 (点击查看)
您是否还没有 注册 或还没有 登陆 本站?!
 分类浏览
官网评测>| 官网  社区  APP 
STEAM>| 学术科研  产品艺术  技术规范  前沿学者 
半导体器件>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
电子元件>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
消费电子>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
商业设备>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
电机电气>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
电子材料>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
电子测量>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
电子制造>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
应用案例>| 家庭电子  移动电子  办公电子  通信网络  交通工具  工业电子  安全电子  医疗电子  智能电网  固态照明 
工业控制>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
通信电子>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
交通工具>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
基础工业>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
农业科技>| 产品通报  企业动态  专家追踪 
信息服务>| 企业动态 
光电子>| 企业动态 
关于我们 ┋ 免责声明 ┋ 产品与服务 ┋ 联系我们 ┋ About 365PR ┋ Join 365PR
Copyright @ 2005-2008 365pr.net Ltd. All Rights Reserved. 深圳市产通互联网有限公司 版权所有
E-mail:postmaster@365pr.net 不良信息举报 备案号:粤ICP备06070889号