【产通社，12月29日讯】天津中环半导体股份有限公司（Zhonghuan Semiconductor；股票代码：002129）官网消息，滨海新区科学技术委员会委托天津国际科技咨询公司组织专家组，于2017年12月13日对其承担的滨海新区科技计划项目“1200V沟槽IGBT研发及产业化”进行了验收。与会专家依据相关规定，听取了项目承担单位中环股份关于项目完成情况的汇报，审阅了验收资料，并对项目承担单位进行了现场考察。经专家组质询及认真讨论，最终认定该项目已经完成了合同书中约定的各项考核指标，验收专家组一致同意项目通过验收。

本项目研发的1200V IGBT开发了创新方法制造的沟槽栅、场截止结构，具有自主知识产权。该项目获得滨海新区科技计划项目资助200万元，用于购买关键设备。1200V沟槽IGBT有效研发及产业化，对于提高我国整体功率半导体制造技术，缩小与国际先进技术之间的差距，促进行业技术进步，对企业、产业、上下游供应链乃至国家都具有深远的意义。有利于落实国家节能减排长期国策，对于上下游产业（硅材料、化工料、装备制造等），都将形成良好的拉动作用。

项目后续的工作着力于研发静动态参数、可靠性以及适合中高端终端应用的高性能产品，从工艺和结构上继续开发新结构的IGBT，开发性能更优的器件。逐步切入国内主流IGBT市场，在市场中积累产品开发和应用以及质量管理的相关经验，以保证产品有足够的市场适应能力，逐步提高产品的市场认可度，做到逐步实现IGBT国产化。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.tjsemi.com。    （完）