【产通社，12月22日讯】联华电子股份有限公司（United Microelectronics Corporation；NYSE股票代码：UMC；TWSE股票代码：2303）官网消息，其推出40nm结合Silicon Storage Technology（SST）嵌入式SuperFlash非挥发性内存的制程平台。新推出的40nmnm SST嵌入式快闪记忆，较量产的55nm单元尺寸减少20%以上，并使整体内存面积缩小了20-30%。东芝电子组件&存储产品公司已开始评估其微处理器（MCU）芯片于联华电子40nm SST技术平台的适用性。

东芝电子组件&存储产品公司混合信号芯片部门副总松井俊也表示：“我们期待采用联华电子40奈米SST技术有助于提升我们MCU产品的性能。与联电合作，透过稳定的制造供应及配合我们的生产需求提供灵活的产能，亦将使我们能够保持强劲的业务连续性计划（BCP）。”

已有超过20个客户和产品正以联华电子55nm SST嵌入式闪存制程进行各阶段的生产，包含了SIM卡、金融交易、汽车、物联网、MCU及其他应用产品。

联华电子特殊技术组织协理丁文琪表示：“自2015年提供55nm SST嵌入式闪存成为主流技术以来，我们一直受到客户的高度关注，藉此制程平台所具有的低功耗、高可靠度及卓越的数据保留和高耐久性的特性，可用于汽车、工业、消费者和物联网的应用。我们很高兴将这些产品进入大批量产，并正努力将这嵌入式闪存解决方案扩展到40nm的技术平台，期待将SST的高速度和高可靠性优势带给东芝和其他晶圆专工客户。”

联华电子坚实的分离式闸极内存单元SST制程，依据JEDEC所制定的规范标准，具100K耐久性和在85°C及工作温度范围为-40°C至125°C温度下，数据可保存10年以上。除40nm SST制程外，还有20多家客户使用该公司的55nm SST技术生产各类应用产品。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.umc.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）     （完）