【产通社，12月2日讯】旺宏电子（Macronix International Co, Ltd；TWSE股票代码：2337）官网消息，其4篇论文入选微电子组件界年度最重要会议——国际电子组件大会（IEDM）。本届会议将于12/2-6在美国旧金山举行，旺宏电子探讨3D NAND创新结构的论文更获得大会评选为“亮点论文”（Highlight Paper），是今年台湾产学研界唯一获选的“亮点论文”，再次彰显旺宏电子在先进内存的研发实力持续受到国际高度肯定，也显示旺宏在当前产业界最关注的3D NAND议题上扮演重要角色。
 
今年旺宏电子获选为IEDM“亮点论文”的研究成果，主要是揭露一个崭新的3D NAND记忆晶胞架构。旺宏独立研发的平坦垂直渠道型晶体管结构（Single-Gate Vertical Channel, SGVC），相较于其他大厂现有技术，以相同的堆栈层数却可达到2-3倍的内存密度。该篇研究成果显示，旺宏的SGVC只要堆栈十六层，其内存密度即可达到现行闸极环绕型结构（Gate All Around, GAA）所堆栈的四十八层效果。此外，也因记忆晶胞为平坦垂直渠道型晶体管结构，因此可大幅减少几何效应对于整体电性的敏感度，适合于需要频繁读取数据的各式应用，低层数的堆栈也有利于制程良率的提升，对于未来发展高密度、高质量的内存提供了一个更具竞争力的方案。
 
其他入选的3篇技术论文，一篇是藉由计算机仿真的协助，降低3D NAND中相邻Wordline（WL）的干扰问题，一篇则为探讨相变化内存所采用选择器组件（Selector）的材料问题，旺宏研究人员发现，在TeAsGeSi（碲砷锗硅）四种合成化合物中，若是掺入Se（硒），可促使Selector具备更佳的电性开关行为，提供了现有相变化内存（Phase Change Memory, PCM）所需使用选择器的一种良好选择，另一篇则是探究ReRAM组件在高阻态（High Resistance State）的变化机制。
 
旺宏电子自2003年起持续于IEDM发表论文，目前发表的论文数已超过60篇，近年来获选的论文篇数常居台湾之冠，且几乎每两到三年即有论文获选为“亮点论文”，目前累积篇数已达6篇之多，其中2012年更同时有两篇研究成果入选为“亮点论文”。今年大会特别推荐的16篇“亮点论文”，所有投稿的台湾企业及学术研究机构中，仅有旺宏电子入选，再次显示旺宏电子在全球先进内存领域的优异竞争实力。
 
IEDM平均每年约有来自全球约600篇论文投稿，最后经极严谨的程序再评选出10个次领域约200篇于会中发表。在内存技术次领域，今年仅有25篇入选，而旺宏电子在该领域的成果表现，则是领先各国际级内存大厂。今年台湾产学研界获选的论文总计有17篇（以第一作者统计），包括产业11篇，其中旺宏电子即有4篇入选，以及学研界的6篇。

旺宏电子获选为”亮点论文”的研究报告，相关信息可至以下网址查询：Paper #19.1, "A 128Gb（MLC）/192Gb（TLC）Single-Gate Vertical Channel（SGVC）Architecture 3D NAND using only 16 Layers with Robust Read Disturb, Long-Retention and Excellent Scaling Capability" H.-T. Lue et al, Macronix http://btbmarketing.com/iedm/docs/19-1%20Ultra-High-Density%203D%20NAND%20Technology_Macronix.docx

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.macronix.com。    （完）