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Transphorm凭GaN半导体技术获安川电机(Yaskawa)投资
2017/12/1 11:47:55     

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【产通社,12月1日讯】Transphorm Inc.消息,其已获得株式会社安川电机(Yaskawa Electric Corporation)1500万美元的投资。就在这一喜讯公布之前数周,安川电机刚刚推出了采用Transphorm高电压(HV)氮化镓(GaN)的Σ-7 F集成驱动伺服电机,该伺服电机提供前所未有的性能和功率密度。Transphorm计划将这些资金分配给公司GaN产品开发的各个领域。

安川电机企业研发中心总经理Yukio Tsutsui表示:“从光伏逆变器和Σ-7F集成驱动伺服电机等公司产品的研发阶段到应用开发阶段,我们已经见证了氮化镓的优点。我们期望Transphorm及其前沿技术将实现进一步的发展。”

Σ-7F集成驱动伺服电机产品由多家公司共同开发,主要服务于可从HV GaN中获益最多的核心目标市场之一:伺服电机。此外,该技术还是汽车系统、数据中心和工业电源、可再生能源以及其他广泛工业应用的最优解决方案。

Transphorm董事长、首席技术官、联合创始人Umesh Mishra博士表示:“Transphorm一贯最为重视公司GaN平台的质量和可靠性。这也成就了我们与安川电机及其他富有远见卓识的公司的强大客户关系,这些公司不仅引领创新,而且通过展示GaN的实际影响来促进市场增长。获得安川电机的近期投资表明市场对GaN的信心不断增长,同时也凸显了GaN的可靠性。”

查询进一步信息,请访问官方网站http://www.transphormusa.com,以及http://www.yaskawa.co.jp。    (完)
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