【产通社，11月23日讯】中国科学院物理研究所（The Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences）官网消息，其863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。

在国家863计划的支持下，由新疆天科合达蓝光半导体有限公司牵头，中科院物理所、半导体研究所、浙江大学，瀚天天成电子科技（厦门）有限公司和全球能源互联网研究院共同参与的研发团队成功研制了满足高压SiC电力电子器件制造所需的4-6吋SiC单晶生长炉关键装备，形成了具有自主知识产权的4-6吋SiC单晶生长炉关键装备体系。所研制的4-6吋通用型SiC单晶炉，实现了“零微管”（微管密度<1个/cm2）4吋SiC单晶衬底和低缺陷密度的6英寸SiC单晶衬底的制备技术，掌握了相关外延工艺技术，生长出12μm、17μm、35μm、100μm等不同厚度的SiC外延晶片，并制备了1200V、1700V、3300V、8000V碳化硅二极管系列产品，且已在市场上批量推广使用。

碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等属于宽禁带半导体材料，或第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势，特别在高压、高温、高频等方面性能尤为明显，但由于其生长制造技术要求很高，尤其是碳化硅单晶炉的结构设计、温度控制精度、真空度极限值及设备可靠性等直接影响SiC单晶衬底质量和成品率，这些长期以来制约着我国第三代半导体碳化硅材料的规模化和产业化发展。

满足高压电力电子器件制造所需的4-6吋通用型SiC单晶生长炉及其配套生长工艺的成功研发，有效促进了碳化硅衬底、外延、器件等制造技术的进步，提高了国内碳化硅产业链的整体设计能力和制造水平，对推动第三代半导体材料、器件产业发展，降低产业链成本。对提升我国在该领域的国际竞争力具有重要的现实意义。

北京天科合达半导体股份有限公司成立于2006年，由物理所以纳米物理与器件实验室N01组（现先进材料与结构分析实验室A02组）陈小龙研究员团队研发的碳化硅系列专利技术入股。在科技部、新疆生产建设兵团科技局、国家自然科学基金委、北京市科委等相关部门的支持下，天科合达公司与物理所团队在生长工艺和生长设备等方面进行了长期的合作，取得多项技术突破，并于2016年在全国中小企业股份转让系统即“新三板”正式挂牌（NEEEQ股票代码：870013），是第三代半导体行业首家在“新三板”挂牌的企业。新疆天科合达蓝光半导体有限公司为北京天科合达半导体股份有限公司的全资子公司。

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