【产通社，10月21日讯】英特尔公司（Intel Corporation；NASDAQ股票代码：INTC）官网消息，其自2011年发布代号为Ivy Bridge的处理器以来，一直在量产22纳米FinFET（鳍式场效应晶体管），而随着2014年代号为Broadwell的处理器发布，第二代14纳米FinFET也开始量产。基于多年22纳米/14 纳米的制造经验，英特尔推出了称为22FFL（FinFET低功耗）的全新工艺。该工艺提供结合高性能和超低功耗的晶体管，及简化的互连与设计规则，能够为低功耗及移动产品提供通用的FinFET设计平台。

与先前的22GP（通用）技术相比，全新22FFL技术的漏电量最多可减少100倍。22FFL工艺还可达到与英特尔14纳米晶体管相同的驱动电流，同时实现比业界28纳米/22纳米平面技术更高的面积微缩。

22FFL工艺包含一个完整的射频（RF）套件，并结合多种先进的模拟和射频器件来支持高度集成的产品。借由广泛采用单一图案成形及简化的设计法则，使22FFL成为价格合理、易于使用可面向多种产品的设计平台，与业界的28纳米的平面工艺（Planar）相比在成本上极具竞争力。

迄今为止，英特尔已交付超过700万片FinFET晶圆，22FFL工艺充分利用这些生产经验，达到了极高的良品率。

英特尔晶圆代工业务（Intel Custom Foundry）通过平台向客户提供22FFL工艺，该平台包含多种已验证的硅IP组合以及全面集成的一站式晶圆代工服务和支持。22FFL技术主要特点包括：
高性能晶体管：接近14纳米工艺的高驱动电流。
低漏电晶体管：比英特尔22通用（General Purpose）工艺低100倍的总漏电量。
裸片面积微缩：优于业界28/22纳米平面工艺技术。
模拟/射频设计：多种先进模拟/射频器件。
易于设计：广泛使用单一图案成形。
裸片良品率：采用经过验证的22/14纳米特性，获得高良品率。
平台就绪进度：目前提供行业标准PDK0.5及PDK1.0。
生产就绪进度：2017年第四季度。
 
22FFL新技术适用于低功耗的物联网和移动产品，它将性能、功耗、密度和易于设计的特性完美结合。

查询进一步信息，请访问官方网站https://newsroom.intel.cn/news-releases/press-release-2017-sep-30-01。    （完）