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电子科大高性能无源敏感薄膜材料Si基异质异构集成方法及传感器芯片研发获批立项
2017/10/2 15:53:06     

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【产通社,10月3日讯】电子科技大学(University of Electronic Science and Technology of China, UESTC)官网消息,其牵头申报的国家重点研发计划“战略性先进电子材料”专项项目“高性能无源敏感薄膜材料Si基异质异构集成方法及传感器芯片研发”近日获批立项。该项目由微电子与固体电子学院张万里教授作为项目负责人,联合中国电科26所、中国电科24所,中科院新疆理化所、中科院上海微系统所、西安微电子所、华中科技大学、苏州大学以及贵州雅光电子等10余家科研院所、大学、企业共同研制。这是学校牵头获得的首个上亿元的国家重点研发计划项目,项目总预算达11705万元。

项目从传感器芯片领域的关键科学问题和重大共性关键技术出发,研究高性能无源敏感薄膜材料的制备方法和传感器与集成电路的集成技术,实现硅基晶圆上无源敏感薄膜的可控制备和传感器芯片的集成加工,研制出磁阻、红外气体、海洋测温、液体粘度等硅基传感器芯片,并在工业控制、海洋水文、安全生产等领域示范应用。

该项目的立项,体现了电子科大在电子薄膜材料及器件集成技术等领域的能力和实力,将进一步提升学校材料、器件研究水平,打通“材料制备-器件集成-系统应用”全链条。研究成果将在促进传感器产品升级换代,助推新兴产业、推动军民融合和培养电子材料与器件复合人才等方面产生显著效益。

查询进一步信息,请访问官方网站http://www.news.uestc.edu.cn/?n=UestcNews.Front.document.ArticlePage&Id=60597。     (完)
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