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士兰微电子导入高压集成电路、超结MOSFET、IGBT等工艺平台和量产爬坡

2017/9/3 0:30:38

【产通社，9月1日讯】杭州士兰微电子股份有限公司（Silan Microelectronics；股票代码：600460）2017年半年度报告显示，其8吋芯片生产线通线、调试工作进展顺利，目前已进入试生产阶段，下半年将完成高压集成电路、超结MOSFET、IGBT等工艺平台的导入和量产爬坡。

随着8吋芯片生产线的产能逐步释放和持续的产品研发，将持续推动士兰微电子整体营收的较快成长。查询进一步信息，请访问官方网站

http://www.silan.com.cn。（Lisa WU, 365PR Newswire）（完）

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