【产通社，7月30日讯】华邦电子股份有限公司（Winbond Electronics Corp.；TWSE股票代码：2344）官网消息，其全新推出SpiFlash低电压串行式闪存产品系列工作电压为1.2-1.5V，为业界编码型闪存（NOR Flash）中电压最低的产品，适合研发人员开发语音、穿戴式、物联网与其他要求低耗电和小型封装的产品应用，其低电压与每秒52MB传输速率使SpiFlash内存产品适用于广泛的消费性与工业性应用。

WebFeet Research市场研究机构的副总Alan Niebel指出：“在2020年前，物联网市场上将会有500亿个联网装置，传感器将需要使用超低耗能的串行式编码型快闪记体来延长电池使用时间。”他也提到，华邦电子的1.2V串行式四通道编码型内存透过超低功耗的设计与其它较高电压的编码型内存器件在市场上竞争。他认为此种设计对于使用电池或能源采集方式供电的穿戴式、工业性、行动式与蓝芽物联网产品来说相当有帮助。

Espressif Systems执行长Teo Swee Ann说：“华邦电子的低耗能串行式闪存产品已经成为物联网与智慧联网设备的理想选择，该公司使1.2V串行式闪存产品的功能更加提升，搭配我们支持WiFi与Bluetooth联机的超低功耗ESP32芯片，已经证明能进一步减少电源消耗，该产品已经在我们的系统上测试成功，我们希望能尽快地以模块式的产品推向市场。”

华邦电子闪存产品中心营销副总JW Park说：“我们扩大SpiFlash产品系列，包含超低电压的串行式闪存，让研发人员能设计出更节能且省成本的产品。华邦开发1.2V与1.5V低电压的系列产品让研发人员能设计出单一小尺寸的产品，将会提供从1Mb到128Mb储存空间范围产品。”


产品特点


这两款低电压系列产品支持标准SPI与4通道QPI接口模式，且在芯片内执行（XIP）运作时，可达每秒52MB的数据传输速度，与目前市面上1.8V与3V串行式闪存产品的性能相当。因为能提供每秒52MB的数据读取速度以及快速的内存写入/擦除，内存可配合所有支持1.2V与1.5V延伸电压范围的芯片，能满足消费性、工业性与其他低耗能应用对于串行式快闪内存的要求。

1.2V电压的产品其工作电压范围从1.14-1.3V，适用于任何超低耗电的应用，而1.5V电压的产品支持从1.14-1.6V的宽电压操作，提供可携式产品持久的电池续航力，无论是新电池或电池使用一段时间后，电压逐渐下降的情况皆适用。SpiFlash低电压内存降低待机与省电模式时的电流，在高时钟频率时产生较低的读取电流，透过领先业界的低功耗设计提供较长的电池续航力。1.5V延伸型内存充分利用1.5V电池的工作电压范围，确保正常运作，而电池电压低至1.14V时仍能正常工作。

大部分的串行式闪存用于程序代码代码映像（code shadowing），储存在闪存中的程序代码加载到DRAM执行运算与储存数据。其它常用的功能包含芯片内执行（XIP），这里的读取效能很重要，应用程序可以直接在闪存上运行。1.2V与1.5V延伸型SpiFlash串行式闪存规格如下：
– 低功耗、工业级操作温度：1.2V电压产品系列支持1.14-1.3V单电源，1.5V延伸电压产品系列支持1.14-1.6V单电源，2mA操作电流，省电模式电流值<0.5μA，-40°C至+85°C环境工作温度。
– 弹性架构与4KB扇区：均一的4K-byte可抹除分区，均一的32K与64K-byte可抹除区块，可一次写入1-256bytes，支持暂停与恢复抹除/写入操作，高效能串行式闪存，单、双、4通道串行SPI接口与4通道串行QPI接口，支持104MHz时钟频率与每秒高达52MB的数据传输速率。
– 节省空间的封装方式：8引脚SOIC 150mil，USON8 2×3mm，8锡球晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP），已完整测试晶粒（KGD）。

此款超低电压的SpiFlash新产品可节省电路板空间，可使用尺寸较小的低压差稳压器（LDO）来取代尺寸较大的电源管理IC，节省电路板空间外也同时降低物料成本（BOM）。SpiFlash的超低待机电源特性可延长电池使用时间，进而使设备的使用时间变长。此外，较低的电压可减少噪声耦合，让电路板设计更精简，体积更小。


供货与报价


此系列的第一款产品W25Q80NE具备8Mb储存空间，目前已经提供样品，并于2018年初开始量产。其它1Mb到128Mb储存空间的1.2V产品，以及支持1.5-1.2V宽电压的产品也将陆续推出。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.winbond.com.tw。    （完）