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Infineon英飞凌批量生产1200V全碳化硅MOSFET模块
2017/7/1 21:55:22     

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【产通社,7月1日讯】英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG;FSE股票代码:IFX/OTCQX股票代码:IFNNY)官网消息,其开始批量生产EASY 1B全碳化硅模块。全新1200V碳化硅MOSFET已进行优化,同时具备高可靠性与性能优势。其动态功率损耗要比1200V硅(Si)IGBT低一个数量级。首批产品将主推光伏逆变器、不间断电源(UPS)和充电/储电系统等应用。不久的将来推出的新型号,也将为打造适用于工业变频器、医疗设备或铁路设备辅助电源的革命性解决方案创造条件。

英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士指出:“碳化硅已达到转折点,考虑到成本效益,它已可用于不同应用。不过,为了让这一新的半导体技术成为可以依靠的革命性技术,需要英飞凌这样的合作伙伴。针对应用量身定制产品、我们的生产能力、对技术组合和系统的全面了解:这四大优势使我们成为功率半导体市场的领导者。依托英飞凌碳化硅产品组合,我们希望并且能够达成这一目标。”

 
产品特点
 

1200V SiC MOSEFT采用的沟槽栅技术的一大优势在于持久的坚固耐用性。这是由于其具备较低的工作时间失效(FIT)率和有效的短路能力,可适应不同的应用。得益于4V的阈值电压(Vth)和+15V的推荐接通阈值(VGS),这些晶体管能像IGBT一样得到控制,在发生故障时得以安全关闭。碳化硅MOSFET可以实现高速开关。另外,英飞凌碳化硅MOSFET技术可以通过栅极电阻调节来改变开关速度,因此,可以轻松优化EMC性能。 

早在去年,英飞凌就已推出主导产品EASY 1B(半桥/Booster)以及分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin产品。EASY 1B平台十分成熟,是实现快速开关器件的理想模块平台。在今年的PCIM展会上,英飞凌将展出基于1200V SiC MOSFET技术的其他模块平台和拓扑。它们将逐步扩大CoolSiC MOSFET的性能范围。英飞凌展出的碳化硅模块包括:
 - 采用B6(Six-Pack)拓扑的EASY 1B:该模块的特点是成熟的英飞凌模块配置,导通电阻(RDS(ON))仅45mΩ。集成的体二极管确保低损耗续流功能。该EASY 1B适用于传动、太阳能或焊接技术领域的应用。
 - 采用半桥拓扑的EASY 2B:这个较大的EASY器件,其性能增强,每个开关的RDS(ON)为8mΩ。低电感模块概念是功率超过50kW和快速开关应用的理想选择,比如太阳能逆变器、快速充电系统或不间断电源解决方案等。
 - 采用半桥拓扑的62mm:附加的半桥配置,具备更大功率,每个开关功能的RDS(ON)为6mΩ。该模块平台为中等功率范围系统实现低电感连接创造了条件。这一特性适合诸多应用,包括医疗设备或铁路设备的辅助电源等。由于有大量潜在应用,英飞凌预计该模块将迅速普及。
 

供货与报价


在2016年PCIM上推出的旗舰产品EASY 1B和两个分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin,今年将逐步开始批量生产。EASY 1B半桥配置现已开始供货。为支持其市场发布,英飞凌同步推出了多种驱动模块和演示板,这些模块和演示板也从现在起开始供货。新产品型号已开始提供样片,计划于2018年开始批量生产。查询进一步信息,请访问官方网站http://www.infineon.com。    (完)
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