【产通社，5月27日讯】罗姆株式会社（ROHM Semiconductor；TSE东京证交所股票代码：6963.T）官网消息，其面向工业设备用的电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出额定1200V 400A、600A的全SiC功率模块BSM400D12P3G002、BSM600D12P3G001。新产品通过ROHM独有的模块内部结构及散热设计优化，实现了600A额定电流，由此，在工业设备用大容量电源等更大功率产品中的应用成为可能。另外，与普通的同等额定电流的IGBT模块相比，开关损耗降低了64%（芯片温度150°C时），这非常有助于应用的进一步节能。不仅如此，由于可高频驱动，还有利于外围元器件和冷却系统等的小型化。例如，根据冷却机构中的损耗仿真进行计算，与同等额定电流的IGBT模块相比，使用SiC模块可使水冷散热器的体积减少88%。


产品特点


近年来，SiC因其优异的节能效果而在汽车和工业设备等领域的应用日益广泛，并且市场对更大电流SiC产品的需求越来越旺盛。为了最大限度地发挥SiC产品的优势--高速开关性能，尤其是功率模块这类额定电流较大的产品，需要开发可抑制开关时浪涌电压影响的新封装。

2012年3月，ROHM于世界首家开始量产内置的功率半导体元件全部由碳化硅组成的全SiC功率模块。其后，相继开发出直到1200V、300A额定电流的系列产品，在众多领域中被广为采用。在IGBT模块市场，ROHM拥有覆盖主要额定电流范围100A到600A的全SiC模块产品阵容，预计未来的需求会进一步增长。

BSM400D12P3G002、BSM600D12P3G001功率模块搭载ROHM生产的SiC-SBD和SiC-MOSFET的全SiC功率模块，与普通的同等额定电流的IGBT模块相比，开关损耗降低64%（芯片温度150°C时）。因此，可降低应用的功率转换损耗，实现进一步节能。PWM逆变器驱动时的损耗仿真中，与同等额定电流的IGBT模块相比，相同开关频率的损耗5kHz驱动时降低30%、20kHz驱动时降低55%，综合损耗显著减少。20kHz驱动时，所需散热器尺寸可减少88%。

不仅如此，由于可高频驱动，还有助于外围无源器件的小型化。主要技术特点包括：
（1）封装内部电感显著降低：随着功率模块产品的额定电流越来越大，开关工作时的浪涌电压变大，因此需要降低封装内部的电感。此次的新产品通过优化内置的SiC元器件配置、内部版图及引脚结构等，内部电感比以往产品低约23%。同时，开发了相同损耗时的浪涌电压比以往封装低27%的G型新封装，从而成功实现额定电流400A、600A的产品。而且，在同等浪涌电压驱动条件下，采用新封装可降低24%的开关损耗。
（2）封装的散热性能显著提升：要实现额定600A的大电流，不仅需要降低内部电感，还需要优异的散热性能。新产品提高了对模块的散热性影响显著的底板部分的平坦性，从而使底板和客户安装的冷却机构间的热阻减少57%。
另外，与之前的SiC模块产品一样，此次也推出了用来评估的驱动用栅极驱动器板，帮助客户轻松进行产品评估。


供货与报价


本模块将于2017年6月开始出售样品。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.rohm.com.cn/web/china/。     （完）