【产通社，5月17日讯】群联电子股份有限公司（Phison Electronics Corporation；TWSE股票代码：8299）官网消息，其于2017年SD协会全球技术研讨会上推出了可搭载东芝64层垂直储存的3D NAND（BiCS3）的技术SD 5.1 A1规范兼容之MaxIOPS系列记忆卡控制芯片PS8131，相较于前一代2D NAND版本的产品，其效能速度快上2倍。

今年的SD协会全球技术研讨会, 在SD协会主持下，百佳泰、东芝、群联等也热情参与协办和支持并分享最新记忆卡技术, 共同推广SD协会的最新规范，为新一代的高阶行动及摄像装置做准备。


产品特点


PS8131符合SD最新规范芯片，不仅具备群联电子自主开发技术，更搭配了最新制程3D TLC的NAND Flash，将为市场提供一个高速且符合经济效益的完整解决方案。

在效能表现上，PS8131延续前一代的MaxIOPS系列技术，为具备SD 5.1 A1规范的NAND Flash高阶控制芯片，能提供高于前一代产品2倍的随机写入速度（从500 IOPS提升至1300 IOPS），并强化了控制芯片的硬件及韧体架构，而且不仅能兼容于目前的Android Marshmallow操作系统，更能流畅支持最新的Nougat操作系统，与智能行动装置的内存透过嵌入式扩展储存功能（Adoptable storage function） 完美的整合运作，让终端使用者能有更高的内存储存容量可以使用，提升用户经验。

在技术发展上，PS8131支持群联电子自主开发的最新科技StrongECCTM纠错技术，因此不但具备精简及低功耗的设计特性，更能增加3D NAND Flash的可靠度，且预计于今年上半年开始出货搭载具备东芝（Toshiba）64层垂直储存的3D NAND（BiCS3）的高容量储存解决方案，而PS8131容量支持将从32G至256GB皆可达到优化表现。

另一方面，PS8131符合目前最新的SD 5.1 A1规范（Application Performance Class），具备超高性能，表现在Read/Write IOPS, PS8131 MaxIOPS+轻松达到2000/1300，远高于SD 5.1 A1规范的1500/500，不但能为Android 7.0/6.0装置的用户提供即刻扩充内部存储器储存容量的便利性，更能完美的与行动装置内存整合运作，将行动装置用户体验提升到全新水平，以满足日益增加的高容量移动储存需求的智能型手机、平板计算机等新一代行动装置扩展内存储存的需求。 


供货与报价


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